本文所涉及的内容僅僅是針對内存超頻過程中的參數解釋，方便諸位在進行内存超頻時， 能對内存參數數值調整有更加清晰的判斷。

① Memory Profiles（内存參數設置）：

設置内存時序。設定值有：

Default Profile（自動）、Custom Profile（自定 義）、XMP Profile1。XMP 全名為 Extreme Memory Profile，它是英特爾提出的一種内存超頻模 式，就是把内存的超頻頻率和參數設置以文件的方式存在内存條的 SPD 模塊中。BIOS 啟 動 XMP 就是直接從 SPD 中讀取超頻設置參數設置内存頻率。選擇“Manual” ，可對内 存頻率進行超頻設置。

② CAS Latency Time（tCL）：

此項控制了 C A S 延遲，它決定了在 SDRAM 在接收指令後開始讀取的延 遲時間（在時間 周期中）。

③ RAS/ CAS Delay（tRCD）:

此項目用于選擇從 RAS (Row Address Strobe) 到 CAS (Column Address Strobe)在相 同的 bank 讀寫數據時所延遲的時間。設定的周期越短，DRAM 運行越快。 ④ ROW Precharge Time（tRP）： 這個項目用來控制當 SDRAM 送出 Precharge 命令後，多少時間内不得再 送出命令。建 議您使用缺省值以保持系統的穩定。設置值有：[2Clocks] [3 Clocks] [4 Clocks] [5 Clocks] [6 Clocks]。

⑤ Min Active RAS（tRAS）（SDRAM 内存預充電延遲） ：

此項控制SDRAM内存時鐘周期數的RAS最小值。

⑥ Read to Precharge（tRTP）：

選擇預充電時間。

⑦ Row Cycle（tRC）：

TRC 表示“SDRAM 行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在内的整 個過程所需要 的最小的時鐘周期數。 其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row activetime(tRAS) row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的 tRAS 值和 tRP 值是多少。如果 tRC 的時間過長，會因在完成整個時鐘周期後激活新 的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然後一旦該值設置過小，在被激 活的行單元被充分充電之 前，新的周期就可以被初始化。

⑧ Write Recover Time（TWR）：

選擇 DRAM 登錄最後一筆寫入數據後的寫入回複時間，即最後一筆寫 入數據之後的預充電時間。

⑨ RAS/RAS Delay（TRRD） ：

TRRD 表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的 bank 中的同一 個行單元兩次 發送激活指令（即：REF 指令）之間的時間間隔。tRRD 值越 小越好。延遲越低，表示下 一個 bank 能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲 會引起連續數據膨脹。于桌面計算機來說，推薦 TRRD 值設定為 2 個時鐘周期，這是最佳 的設置，此時的數據膨脹可以忽視。

⑩ Write to Read Delay（tWTR）：

TWTR 表示“讀到寫延時”。它設定向 DDR 内存模塊中的同一個單元中， 在最後一次有 效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。

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