第一、二、三、四代半導體材料各有利弊，在特定的應用場景中存在各自的比較優勢，但不可否認的是，中國在第一、二代半導體的發展中，無論是在宏觀層面的市場份額、企業占位還是在微觀層面的制備工藝、器件制造等方面，中國與世界領先水平之間都存在着明顯的差距。

國内可能并且走在世界前沿的半導體材料或者能讓中國在半導體行業實現彎道超車并以此為契機助力中國經濟高質量發展的機會應該是對新型材料的研究與開拓，比如應用場景廣泛、波及行業衆多、産業占位靠前的在功率、射頻等方面可以大放異彩的氧化镓材料；其具備制備成本較低、相對環保、性價比更高、材料屬性優勢明顯、工藝制造精妙但成本相對較低優勢等特點。目前，國内對于新型材料的研究仍處于開拓期，文章接下來會以Ga₂O₃等新型材料的材料屬性優勢、制備工藝流程、相關研究企業、具體應用場景等等進行介紹。

氧化镓材料屬性認識

（1）氧化镓-Ga₂O₃

氧化镓單晶材料，是繼Si、SiC及GaN後的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga₂O₃單晶為基礎材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導通電阻，從而擁有更低的導通損耗和更高的功率轉換效率，在功率電子器件方面具有極大的應用潛力。氧化镓是一種來自日本的新型半導體晶體材料，可以廉價地生産高質量、大型單晶基闆，有望成為下一代功率器件材料，其潛力超過氮化镓和碳化矽；氧化镓由于低成本及與GaN的低失配的特性，可用于GaN材料的外延襯底，Ga₂O₃具有4.9eV的極寬帶隙，超過了SiC和GaN顯示的3.3eV，此特性使其制作的器件比由禁帶較窄材料組成的器件更薄、更輕，并且能應對更高的功率，寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻器件系統的需求，這種差異使Ga₂O₃能夠承受比矽、SiC和GaN更大的電場，而不會被擊穿。

此外，Ga₂O₃能在更短的距離上處理相同量的電壓，這使得生産更小、更高效的大功率晶體管變得非常有價值。Ga₂O₃看起來非常适用于電動汽車充電的配電系統，或者将電力從風力渦輪機等替代能源輸送到電網的轉換器。Ga₂O₃的優勢還有作為金屬氧化物半導體場效應晶體管（更為人所知的MOSFETS）的潛力。傳統上，這些微小的電子開關是由矽制成的，用于筆記本電腦、智能手機和其他電子産品。對于像電動汽車充電站這樣的系統，我們需要能在比矽基器件更高的功率水平下工作的MOSFETS，而這正是Ga₂O₃可能成為解決方案的地方。在微電子器件中，帶隙是決定材料電導率的主要因素，帶隙寬的物質通常是不導電的絕緣體，帶隙窄的物質是半導體。

（2）功率半導體材料的特性

器件功能是由器件材料屬性、結構共同決定的，器件的材料屬性是決定器件功能優劣的關鍵，直接談器件材料屬性大家可能會覺得空洞不知所以，所以作者先介紹功率半導體的功能，以此引出實現此功能何種屬性能較好的被使用。功率半導體器件應用需要考慮大功率電路應用的特性，如絕緣、大電流能力等，在實際應用中，以動态的“開”和“關”為運行特征，一般不運行在放大狀态。由功率半導體器件構成的電力電子變換器實施的是電磁能量轉換，而不是單純的開/關狀态，它的非理想應用特性在電力電子變換器中起着舉足輕重的作用。要用好功率半導體器件，既要熟悉電力電子變換器的拓撲，更要充分掌握器件本身的特性，第一、二、三、四代半導體都有可以作為功率半導體的材料，但是不同的材料屬性直接決定着器件的性能、價格、體積等等。下表為幾種材料的屬性對比：

注1：碳化矽有200多種結構，以上為常見的4H-SiC

以上是材料屬性的基礎對比，對于更深層面的功率器件的表皮晶圓需要特征：（1）表皮表面的平坦度；（2）低載流子濃度區域的濃度控制；氧化镓的這方面特性，被日本Novel Crystal Technology研究人員經過實驗進行了定性，其使用臭氧MBE方法作為表皮沉積方法，晶體平面方位，摻雜劑優化了種子、生長溫度、原料供應量等生長參數。例如，圖1顯示了表面平整度與生長溫度之間的關系，以及載體濃度與摻雜原料電池溫度之間的關系。這些允許在1nm或更低的表面粗糙度和1016cm-3的低載波濃度區域進行控制，以滿足電源器件的表面粗糙度，此項結果證明，氧化镓與第一、二代功率半導體材料具有明顯的優勢，甚至對比于第三代半導體碳化矽都具有明顯的優勢。

圖一、表面平整度與生長溫度關系、載體濃度與摻雜原料電池溫度關系

注：圖片來源于NCT官網

但金無足赤，人無完人，物體都是具有雙面性的，氧化镓除了以上所展示出的優點，它也存在一些自身的問題。比如，β相在展現出色的物性參數的同時，也有一些不如SiC及GaN的方面，這就是遷移率和導熱率低，以及難以制造p型半導體。不過，目前研究表明這些方面對功率元件的特性不會有太大的影響。之所以說遷移率低不會有太大問題，是因為功率元件的性能很大程度上取決于擊穿電場強度。就β相而言，作為低損失性指标的“巴利加優值”與擊穿電場強度的3次方成正比、與遷移率的1次方成正比。巴加利優值較大，是SiC的約10倍、GaN的約4倍。

（3）材料決定屬性決定的器件對比圖

圖二、不同材質功率器件對比圖

注：圖片來源北京銘镓半導體官網

在電流和電壓方面的要求:Si，SiC，GaN和Ga₂O₃功率電子器件的應用如上圖，由于其材質的屬性的本質區别，導緻這以不同襯底制作出來的功率器件會表現出很大的差異，比如以氧化镓為襯底的功率器件就能在相對成本較低的情況下實現第一、二、三代半導體的功率器件功能，由圖二也可以看出，以氧化镓為襯底制作出來的功率器件在承受更高電壓、電流方面就具有很大的優勢，據統計，如果将中國低效電機改成使用氧化镓等高功率半導體材料的高效電機，每年可節約900 億度電，實現450 億元（RMB）的節電效益，形成500 億元（RMB）的增加值，可以有效的助力碳中和、碳達峰的國家政策。

（4）主要分類

導電型（氧化镓同質外延）、半絕緣型（同質外延）、高純型（同質外延）分别在肖特基二極管、場效應晶體管、傳感器和光電襯底的應用方向，主要應對下遊市場為新能源汽車、家電、工業變頻、光伏、電焊機、工業變頻、高鐵、智能電網、工業電機、國防軍工，發光二極管、電網安全檢測、國防軍工、森林消防、智慧高速、智慧家居等；

氧化镓/氮化镓（異質外延）、氧化镓/藍寶石（異質外延）分别在射頻器件、傳感器件的應用主要應對下遊市場通信基站裝置、發光二極管、電網安全檢測、國防軍工、森林消防、智慧高速、智慧家居、氣敏傳感安全檢測等等，應用場景廣泛、受衆群體衆多。

氧化镓制備工藝

高質量單晶材料的制備是後期有效應應用的基礎與前提，新型材料氧化镓的制備工藝具有複雜但成本可控、精妙但工藝成熟等特點，為防止文章過于空洞，特以同為新型材料的碳化矽生産為對比，助讀者能有一個清楚的參照物做對比，不至于理解起來過于空洞，至于成本如何可控、工藝如何，讀者可在以下對比中可窺得一二。

（1）碳化矽制備主流方法：PVT

PVT法通過感應加熱的方式在密閉生長腔室内在2,300°C以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化矽粉料，使其升華産生包含Si、Si₂C、SiC₂等不同氣相組分的反應氣體，通過固—氣反應産生碳化矽單晶反應源；由于固相升華反應形成的Si、C成分的氣相分壓不同，Si/C化學計量比随熱場分布存在差異，需要使氣相組分按照設計的熱場和溫梯進行分布和傳輸，使組分輸運至生長腔室既定的結晶位置；為了避免無序的氣相結晶形成多晶态碳化矽，在生長腔室頂部設置碳化矽籽晶（種子），輸運至籽晶處的氣相組分在氣相組分過飽和度的驅動下在籽晶表面原子沉積，生長為碳化矽單晶。以上碳化矽單晶制備的整個固—氣—固反應過程都處于一個完整且密閉的生長腔室内，反應系統的各個參數相互耦合，任意生長條件的波動都會導緻整個單晶生長系統發生變化，影響碳化矽晶體生長的穩定性；此外，碳化矽單晶在其結晶取向上的不同密排結構存在多種原子連接鍵合方式，從而形成200多種碳化矽同質異構結構的晶型，且不同晶型之間的能量轉化勢壘極低。因此，在PVT單晶生長系統中極易發生不同晶型的轉化，導緻目标晶型雜亂以及各種結晶缺陷等嚴重質量問題。故需采用專用檢測設備檢測晶錠的晶型和各項缺陷。

（2）氧化镓制備主流方法：

按β-Ga₂O₃照晶體生長過程中原料狀态的不同，可以将晶體生長方法分為：溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應用最為廣泛的晶體生長方法，也是目前生長β-Ga₂O₃體塊單晶常用的方法。通過熔體法可以生長高質量、低成本的β-Ga₂O₃體塊單晶，其中最為常用的生長方法主要有兩種：提拉法和導模法。文章以導模法為例介紹，導模法（Edge-defined film-fed growth method）是一種重要的晶體生長方法，具有近尺寸生長、異形晶體生長、生長速度快、生長成本低等優點，是傳統提拉法（Czochralski method）的一種延伸和補充，實際操作中可以将傳統提拉法晶體生長爐改造後使用，常用于閃爍晶體材料、半導體晶體材料的生長。導模法需要在坩埚中放置模具，晶體生長界面位于模具上表面。由于射頻線圈高頻電流的作用，使銥坩埚産生渦流而産生熱量。高溫下，坩埚中的Ga₂O₃原料變成熔體，由于表面張力和浸潤作用，熔體沿模具中的毛細管上升到模具上表面。預先在籽晶杆上安放一枚籽晶，讓籽晶下降至接觸模具上的熔體表面，待籽晶表面稍熔後，提拉籽晶杆，使熔體在籽晶的誘導下結晶于籽晶上，最終生長出特定形狀的大塊單晶體。

（1）碳化矽制備流程

第一步原料生成，将高純矽粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在2,000℃以上的高溫條件下，于反應腔室内通過特定反應工藝，去除反應環境中殘餘的、反應微粉表面吸附的痕量雜質，使矽粉和碳粉按照既定化學計量比反應合成特定晶型和顆粒度的碳化矽顆粒。再經過破碎、篩分、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化矽粉原料。

第二晶體生長，在2,300°C以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化矽粉料，使其升華産生包含Si、Si₂C、SiC₂等不同氣相組分的反應氣體，通過固-氣反應産生碳化矽單晶反應源；由于固相升華反應形成的Si、C成分的氣相分壓不同，Si/C化學計量比随熱場分布存在差異，需要使氣相組分按照設計的熱場和溫梯進行分布和傳輸，使組分輸運至生長腔室既定的結晶位置；

第三晶錠加工将碳化矽晶錠使用X射線單晶定向儀進行定向，之後通過精密機械加工的方式磨平、滾圓，加工成标準直徑尺寸和角度的碳化矽晶棒。對所有成型晶棒進行尺寸、角度等指标檢測。

第四晶棒切割在考慮後續加工餘量的前提下，使用金剛石細線将碳化矽晶棒切割成滿足客戶需求的不同厚度的切割，并使用全自動測試設備進行翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）、厚度變化（TTV）等面型檢測。

第五切割片研磨通過自有工藝配方的研磨液将切割片減薄到相應的厚度，并且消除表面的線痕及損傷。使用全自動測試設備及非接觸電阻率測試儀對全部切割片進行面型及電學性能檢測。

第六研磨片抛光通過配比好的抛光液對研磨片進行機械抛光和化學抛光，用來消除表面劃痕、降低表面粗糙度及消除加工應力等，使研磨片表面達到納米級平整度。使用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀等儀器設備，檢測碳化矽抛光片的各項參數指标，據此判定抛光片的質量等級。

第七抛光片清洗在百級超淨間内，通過特定配比的化學試劑及去離子水對清洗機内的抛光片進行清洗，去除抛光片表面的微塵顆粒、金屬離子、有機沾污物等，甩幹封裝在潔淨片盒内，形成可供客戶開盒即用的碳化矽襯底。

圖三、碳化矽制備流程圖

注：圖片來源于巨浪資訊

（2）氧化镓制備流程

與碳化矽半導體材料制備步驟類似，Ga₂O₃晶體襯底片加工包括退火、定向、切割、貼片、減薄、研磨、抛光和清洗，工藝流程如下圖所示：

圖四、氧化鉀制備工藝步驟

注：圖片來源北京銘镓半導體官網

方法并無絕對的好壞優劣之分，隻是适用情況、工藝繁簡有别，不管何種工藝也無論工藝是否過時，它都承載着研究人員的心血與付出，在一定程度上都是科技發展的具體載體，接下來的對比隻是為了說明氧化镓的制備成本可控，并無定性的指明孰優孰劣的意思。氧化镓成本可控可以體現在以下幾個方面：第一，相較于碳化矽必須實現2,300℃以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化矽粉料，使其升華産生包含Si、Si₂C、SiC₂等不同氣相組分的反應氣體才能進一步生産，氧化镓的導模法的實現條件就相對要求低了很多，其溫度要求低，而且不用使原料粉末升華成氣體相對條件要求較低；第二，相較于200多種碳化矽同質異構結構的晶型，且不同晶型之間的能量轉化勢壘極低的情況，氧化镓的同質異構結構的晶體類型少了很多隻有幾種，這對于制備的可控性來說大大降低了難度，這也是為什麼氧化镓的成本低于碳化矽的重要原因；第三，相較于碳化矽制備的石墨坩埚等一次性損耗品來講，氧化镓的坩埚雖然購置費用昂貴，但是可以實現循環利用，其平攤到每一次的制備成本當中是遠低于碳化矽的制備成本的，這又是氧化镓成本低于碳化矽的一大原因。

衆所周知，在國家加強生态建設、碳中和、碳達峰的大環境下，材料制備無污染是一個比較值得關注的問題，氧化镓相對比與第一二代半導體甚至是第三代是更環保的材料，比如矽基制造中多個環節涉及環境污染，生産過程中将産生一定量的廢水、廢氣、固廢和噪音；碳化矽襯底材料生産雖屬于重污染行業，但污染物廢水（主要包括酸洗清洗廢水、廢氣淨化廢水、倒角清洗廢水、研磨清洗廢水、機械抛光清洗廢水、生活污水等）、一般固廢（主要包括提純雜質、加工下腳料、生活垃圾等）、危險廢物（主要包括廢研磨液、廢切削液、廢抛光液等）、廢氣（主要包括酸洗廢氣、乙醇清洗廢氣、有機廢氣等）、噪聲等也存在，氧化镓在這方面比第一二三代具備更環保的特點。

當前研究現狀

當前該領域的研究，尤其以日本在氧化镓方面的發展最為領先。早在2012年，日本Novel Crystal Technology（下簡稱“NCT”）公司就實現了2英吋氧化镓晶體和外延的突破；2014年，日本NCT實現2英吋氧化镓材料的批量産業化；2017年，日本FLOSFIA實現了低成本亞穩态氧化镓（α相）材料的突破；2018年，日本NCT實現了4英吋氧化镓材料的突破，日本FLOSFIA實現了α相氧化镓外延材料的批量化生産，2019年日本田村實現4英吋氧化镓的批量産業化等等。在這個發展過程中，日本氧化镓産業也湧現出了幾個産業明星。當中尤其以NCT和FLOSFIA最為亮眼。資料顯示，日本功率元件方向的氧化镓研發始于日本國立信息通信技術研究所的東脅正高先生、京都大學的藤田靜雄教授、田村（Tamura）制作所的倉又朗人先生。國外主要研究機構如下圖：

圖五、國外主要研究者

注：圖片來源于北京銘镓半導體

（1）日本NCT

NICT和田村制作所合作投資成立了氧化镓産業化企業“Novel Crystal Technology”，簡稱“NCT”。公司成立2015年6月，資本金1000萬日元。2015年8月至2016年3月，通過第三方配股募集6570萬日元，資本金7570萬日元。2017年11月至2018年5月，通過第三方配售增資籌集1.4256億日元。2020年2月至6月，通過第三方配售增資籌集6.9989億日元。其首要目标是擴大和推廣氧化镓的傳播。在氧化镓的研究與開發方面，塔穆拉實驗室、國家信息與通信技術研究所（NICT）和東京農業技術大學等研究團隊處于領先地位。現在，“Novel Crystal Technology”是日本氧化镓研發的中堅企業，主要業務有含氧化镓外延膜的基闆的制造與銷售、單晶及其應用産品的制造與銷售、半導體及其應用産品的制造與銷售等等。

（2）日本FLOSFIA

FLOSFIA是京都大學研究的衍生産品，專門從事霧化氣相沉積（CVD）的成膜。利用氧化镓（Ga2O3）的物理特性，FLOSFIA緻力于開發低損耗功率器件。公司的“噴霧幹燥法”（MistDry）先将氧化镓溶解于某種幾十種配方混合而成的溶液裡，然後将溶液以霧狀噴在藍寶石襯底上，在藍寶石基闆上的溶液幹燥之前，就形成了氧化镓結晶。這樣通過從液态直接獲得GaO襯底，不需要高溫、超潔淨的環境，實現了超低成本制造GaO。

國内對于氧化镓的研究還處于開拓其，主要研究企業為北京銘镓半導體有限公司、杭州富加镓業有限公司、江蘇利泷半導體科技有限公司、威科賽樂微電子股份有限公司等，其餘還有些是氧化镓具體制備過程中的部分環節參與者，比如氧化镓粉末供貨商上海乙基化工有限公司等。

（1）北京銘镓半導體有限責任公司

北京銘镓半導體有限公司前身為2017年的“镓族科技”，是中國第四代半導體領域的開拓企業，其CEO陳政委先生以其獨到的眼光與深刻的見解一直緻力于中國第四代半導體的開拓與探究。據悉，北京銘镓半導體有限公司已完成近億元的天使、PreA輪融資，公司已完成2英吋氧化镓材料研發和小批量生産，3-4英吋氧化镓材料的突破，并具備加工、外延、測試等完整的鍊條，已與合作單位一起已經實現1000V耐壓的肖特基二極管模型制作，并已經實現5000V耐壓的MOSFET模型制作，開發出氧化镓基日盲紫外探測器分立器件和陣列成像器件，為深紫外光電器件提供了良好解決方案，可支持極弱火焰和極弱電弧實時檢測等。公司完成了産業中試的前期技術、人員、軟硬件等量産化要求的所有準備工作，擁有廠房涵蓋完整的産業中試産線，具備構建了氧化單晶襯底、氧化镓異質/同質外延襯底生産和研發平台。

（2）富加镓業

富加镓業科技有限公司（簡稱“富加镓業”）成立于2019年12月，注冊資金500萬，坐落于美麗的杭州市富陽區，是由中國科學院上海光學精密機械研究所與杭州市富陽區政府共建的“硬科技”産業化平台——杭州光機所孵化的科技型企業。杭州富加镓業科技有限公司也在中科院上海光機所技術的支持下成立，劍指氧化镓材料的産業化；此外，富加镓業專注于寬禁帶半導體材料研發，公司核心創始人也是具有中科院博士等業内資深人才，研發人員中碩士以上比例達到80%；公司擁有多台大尺寸導模法晶體生長爐、多氣氛晶體退火爐、高精密抛光機等儀器設備，為公司的發展提供了基礎支撐和持續創新動力硬件保證。

應用場景

為何說氧化镓會成為引領中國經濟高質量發展的一“镓”馬車，通過以上介紹，讀者應該可以得出其成本可控、應用場景廣泛、受衆群體衆多、相對環保等特點。文章接下來介紹其廣泛的應用場景，其中值得說明的是由于文章作者資料以及認知的有限性，雖然介紹了諸多的應用場景但是不可否認的是對于這種新型材料的認識以及場景的應用作者是完全概括不全的，在諸多領域作者存在介紹不全、介紹不充分的情況，望知悉！

綜合在光電、電力電子器件應用圖如下：

圖六、光電電力器件應用

注：圖片來源于北京銘镓半導體官網

（一）高壓電力電氣系統局部放電檢測

局部放電現象，主要指高壓電力電氣設備的局部放電。電力設備絕緣材料在足夠強的電場作用下局部範圍内發生的放電，而沒有貫穿施加電壓的導體之間。局部放電根據放電強度從弱到強可分為：電暈放電、沿面閃電、閃絡、電弧放電、火花放電。不同等級的放電會對電氣設備的絕緣材料造成不同的影響，現代電纜和電纜附件在長期局部放電作用下會其絕緣材料會被慢慢腐蝕直至失效。因此需要對運行中的高壓電力設備要加強監測，當局部放電超過一定程度時，應将設備退出運行，進行檢修或更換。應用Ga₂O₃日盲紫外傳感器開發日盲紫外探測器隻要能探測到局部放電時産生的日盲紫外光光強，這樣便可以利用局部放電産生的光強與探測放電頻率間接評估運行設備的絕緣狀況和及時發現絕緣設備的缺陷。其圖如下：

圖七、局部放電

注：圖片來源于北京銘镓半導體官網

（二）紫外消毒殺菌檢測

紫外線殺菌是現今社會上最普遍的消毒方法之一，紫外線消毒主要是用波長253.7nm的C波紫外線來消滅細菌、芽孢、病毒、分支杆菌等微生物，這樣能破壞這些微生物的機體内的去氧核糖核酸（即DNA）的結構，讓它們失去繁殖能力或者是死亡，具有廣譜性。采用紫外線輻射計殺菌，完全不産生任何有害物質。速度快、效率高、操作簡單，便于運行管理和實現自動化運行。在醫療行業、水處理行業、食品行業、室内空氣淨化等都已有廣泛應用，其應用場合主要有：第一，水的消毒：包括自來水廠，純淨水廠消毒設備的在線監測。第二，空氣消毒：可以用于家庭房間、病房、實驗室、學校、電影院、公交車、辦公室、家庭等裡的空氣消毒監測；第三，食品消毒：食品生成企業及餐飲業的紫外線消毒在線監測。

紫外消毒

圖八、紫外消毒殺菌檢測裝置

注：圖片來源于北京銘镓半導體官網

（三）大功率器件

氧化镓材料在高低壓配電房、變電站、智慧家居系統、射頻、不間斷電源等等應用場景都可以發揮其作用，其最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，在功率器件方面的應用會是氧化镓大放異彩的重要領域，也是其引領中國經濟高質量發展的關鍵，因為功率器件的市場範圍大，受衆群體多，波及範圍廣，在中國核心制造業以及精密儀器的核心制造方面會發揮不可替代的作用。比如，目前還在用矽基、碳化矽基做襯底材料制作的IGBT、MOS等等。MOSFET是一種可以廣泛使用在模拟電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣栅雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣栅型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化産品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；随着節能環保等理念的推進，此類産品在市場上将越來越多見；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”。

總結與展望

從Yole的報道中可以看出，綠色線代表的GaO尺寸以前所未有的斜率快速增長，這得益于其材料可以通過上文提到的液相法進行生長，且已經接近目前SiC和GaN的最大商用化尺寸。矽基材料經過了80多年的發展，達到了目前的12寸。SiC材料的最大尺寸記錄是近日更名為Wolfspeed的美國Cree公司所推出的8英寸襯底樣品，其尚未導入大規模商業化，産業界剛剛準備規模化生産基于6英寸襯底的功率器件。具體市場分析如下（單位：RMB）：

圖九、日本氧化镓功率器件市場預測

注：圖片來源于北京銘镓半導體官網

由以上Yole與日本等國外權威機構的預測分析走勢以及結合中國高質量經濟發展的迫切需求來看，氧化镓的市場清晰度以及發展确定性是毋庸置疑的，而且氧化镓在助力中國經濟高質量發展、實現碳中和、碳達峰等領域都與國家的發展與民族的複興吻合度極高，氧化镓勢必會成為引領中國經濟高質量發展的一“镓”動力十足的馬車！

注：文章部分數據作者根據官方公布數據進行了一定程度上的基礎處理；所有圖片來源均已注明來源，比如NCT、北京銘镓半導體等。此外，文章的公司排名與公司實力無關，不帶有作者的主觀觀點，僅為一個介紹前後問題，同時，因作者資料有限，如有介紹不當之處，作者現在此表示歉意！請知悉。

*免責聲明：本文由作者原創。文章内容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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