通常情況下，固态硬盤(SSD)的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲産生不同的影響，在這篇文章中，我們會讨論這些差異。

目前，閃存可以說徹底改變了企業數據存儲，與機械硬盤(HDD)相比，SSD封裝使存儲子系統和陣列能夠提供出色的應用性能，并能在業務分析和其他工作負載下快速工作。在個人電腦和移動設備中，閃存能夠加速應用程序啟動時間和加速數據傳輸。

而且由于閃存沒有可移動部件，所以SSD幾乎不容易受到突然移動和物理沖擊的傷害。另外還有一個優勢是，它們也比HDD耗電更少。

有一個缺點是，盡管删除、壓縮和其他數據管理技術可以幫助企業充分利用其閃存投資，但SSD在每GB的成本上往往高于HDD。

NAND閃存類型

NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND)，用于确定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。

·SLC

SLC(Single-Level Cell，單層單元)SSD在每個單元中存儲一個Bit，這種設計提高了耐久性、準确性和性能。對于企業的關鍵應用程序和存儲服務，SLC是首選的閃存技術。當然，它的價格最高。

·MLC

考慮到閃存的消費級特性，MLC(Multi-Level Cell，多層單元)架構可以為每個單元存儲2個Bit。盡管在存儲單元中存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間内獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。相對而言，MLC SSD使得在PC和筆記本電腦上增加閃存成為可能。

·eMLC

eMLC(Enterprise Multi-Level Cell，企業多級單元)是MLC NAND 閃存的一個“增強型”的版本，它在一定程度上彌補了SLC和MLC之間的性能和耐久差距。eMLC驅動器比MLC驅動器貴，但比SLC驅動器便宜得多。盡管每個單元仍然存儲2個Bit，但eMLC驅動器的控制器管理數據放置、磨損均衡和一些其他存儲操作延長了eMLC SSD的使用壽命。

·TLC

最便宜的是TLC(Triple-Level Cell，三層單元)NAND閃存，每個單元存儲3比特，通常用于性能和耐久性要求相對較低的消費級電子産品。最适合于包含大量讀取操作的應用程序，基于TLC的存儲組件很少在業務環境中使用，但是閃存體系結構的最新改進，包括3D NAND(稍後将詳細介紹)、持久增強的數據放置和錯誤糾正技術，使該技術在讀密集型企業存儲應用程序中占有了一席之地。

SLC、MLC、eMLC和TLC如何選擇

下面我們将告訴大家如何判斷閃存驅動器是否适合預期的工作負載或用例，包括從企業級到消費者端。在下面的圖表中，寫入/擦除(PE)周期用來衡量NAND 閃存可以支持多少讀和寫操作。雖然它們沒有機械部件可以磨損，但SSD驅動器仍然存在有限的使用壽命。

每種類型的NAND閃存都有不同的使用壽命，這意味着它會在SSD降級并最終失效之前提供有限數量的P/E周期。當然，除了制造缺陷，電力激增或其他災難性的破壞可能導緻SSD的失效。這是決定SSD支持的存儲工作負載和應用程序類型的主要影響因素。

NAND VS 3D NAND

為閃存市場帶來突破的最大創新之一是3D NAND或V-NAND。顧名思義，它使用堆疊架構在SSD中安置内存單元，而不是過去平面排列的方法。

實際上，與2D NAND相比，這種架構使供應商能夠以更低的成本，将更多的容量壓縮到更小的物理空間中。它還能提供更快的速度、更長的使用壽命和更低的功耗。現在大多數主要SSD供應商都提供3D NAND SSD。

如何選擇SLC、 MLC和TLC SSD

從經驗上看，希望獲得最好性能SSD的買家，會在SLC上投入比eMLC、MLC和TLC更多的錢。不過，價格不能決定一切。

當你想最大限度地利用你的存儲空間時，有很多因素需要考慮。SLC SSD對于需要快速、可靠性能的關鍵應用程序工作負載和24×7數據庫是有意義的。當然，并不是每個工作負載都需要極高的速度和性價比。

想要快速的性能，但不期望對存儲系統造成持續的壓力?eMLC甚至MLC都可能是最好的選擇。在PC中，相對于HDD，SSD三個字母就代表着性能提升。

所以，看起來很明顯。SLC用于要求較高的企業應用程序，其次是eMLC、MLC和TLC，因為性能和可靠性要求降低了。

不過NAND閃存也在不斷進化，現在對于大容量SSD來說，使用MLC甚至TLC閃存是非常标準的。在企業用例中，MLC可以說和SLC一樣好。

QLC NAND逐漸進入主流

SSD制造商并沒有止步于TLC。英特爾、美光科技和西部數據正緻力于将QLC(Quad-Level Cell，四層單元)NAND技術引入數據中心。

2018年5月，英特爾和美光發布了第一款可商用的QLC 3D NAND芯片，其存儲容量遠遠超過TLC NAND閃存。通過引入64-層4Bit/單元NAND閃存技術，與TLC相比陣列密度高出33%。據了解，英特爾、美光都已推出了QLC 3D NAND閃存産品，這種産品将在大數據等類似應用中發揮很大的作用。

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