随着USB PD快充技術的普及，模塊化電源以及智能家居市場的爆發，智能家居、LED燈具及模塊化電源等産品對高密度、高效率、小體積的電源需求量日益提升。

而在開發高密度電源時，濾波電容、X電容、共模電感、差模電感等一些被動元器件會直接影響産品的最終尺寸。而高功率密度電源的高頻特性往往會帶來EMI的問題，這導緻了工程師在需要減少PCB體積與被迫使用EMI抑制器件的矛盾。

為了解決高密度電源開發過程中的這一難題，沃爾德針對性的推出了WR8M軟橋産品，幫助工程師實現更高的功率密度以及更好的EMI特性。得益于沃爾德軟橋較軟的恢複曲線，比較平滑的關斷特性，可以降低二極管結電容從而達到非常少的諧波振蕩效果。

在開發高密度電源時，沃爾德軟橋可以充分發揮軟恢複優勢，降低反向恢複電流，降低EMI并提高效率。有效減少X電容、共模電感、差模電感等EMI抑制器件的使用數量或者減小使用規格，從而實現更簡潔、更高密度的電源方案。

沃爾德WR8M軟橋産品采用NBS貼片封裝，散熱效果較好。WR8M軟橋工作電流0.8A，工作電壓1000V，允許電流最大值25A，單顆支持最大功率為10W。适用于智能家居、LED燈具、模塊化電源、常規适配器等産品。

外圍規格方面，上圖為不同封裝的尺寸對比圖，從圖中可以看出，采用NBS封裝的WR8M軟橋尺寸僅為 3.5 x 1.38 x 1.8 mm，相比其他封裝方式，長寬大幅減少，可有效減小封裝體積。

将NBS、UMB、MBF、ABS、MSB、LSB封裝的軟橋産品平鋪對比，采用NBS封裝的WR8M軟橋體積優勢十分明顯。

将MSB、ABS、NBS封裝的軟橋堆疊擺放，可以更直觀的看出采用NBS封裝的WR8M軟橋可以有效減少PCB占闆面積，助力電源實現更高功率密度。

整機效率測試方面，輸入115V/230V 60Hz，輸出5V 1.2A時，在100%、75%、50%、25%負載下，平均效率均大于75%，滿足要求。

整機溫度測試方面，在環境溫度40℃條件下，輸入100V時，橋堆測試值95℃；輸入230V時，橋堆測試值89℃，均滿足低于110℃要求。

上圖為WR8M軟橋的傳導輻射測試圖，從圖中可以看出在不同頻率下的峰值和平均值均能滿足要求。

根據IEC61000-4-2:2001标準，對WR8M軟橋進行靜電放電測試，測試結果如圖所示。從圖中可以看出，WR8M軟橋在100%負載，5V 1.2A輸出下，完全滿足ESD的測試。

根據IEC61000-4-5:2005标準，對WR8M軟橋進行雷擊浪湧測試，測試結果如圖所示。從圖中可以看出，WR8M軟橋在100%負載，5V 1.0A輸出下，完全滿足Surge的測試。

沃爾德目前一共推出了三十餘款軟橋産品，分為插件式和貼片式兩種類型。得益于沃爾德軟橋具備較軟的恢複特性，所以在快充電源産品中，得到了廣泛的運用，占據了80%以上快充市場的份額。沃爾德軟橋産品目前已經廣泛應用于第三代半導體應用方案，可以明顯幫助工程師改善空間體積，同時在降低BOM 成本的基礎上還能滿足客戶端EMI的需求。

沃爾德以解決客戶應用痛點為追求，緻力于更高能效轉換、更好EMI效果、更優客戶體驗的半導體産品研發及設計的公司。廣泛應用于電源系統、通信設備、LED照明設備、各種家用電器，消費電子設備等。

沃爾德在新産品研發、高端人才的引進、應用電路分析、核心自主知識産權、科技成果轉化等方面得到社會認可，并獲得國家高新技術企業證書。同時，沃爾德非常注重電路應用分析，在自有實驗室不斷驗證分析，并和同行不斷交流，從中積累了大量應用經驗，深刻了解電源研發工程師設計痛點，并針對不同痛點開發更新下一代的産品來滿足更高的要求。

據悉，目前沃爾德已經與Dialog、PI、昂寶、芯朋、立锜、通嘉、矽力傑、美思迪賽、英諾賽科、納微等一批國内外電源芯片原廠達成深度合作關系，緻力為客戶提供最優的電源解決方案。如果大家對沃爾德軟橋産品感興趣，歡迎聯系原廠索取樣品和資料。

同時，沃爾德已經成為了啟益國際、斯泰克、福瑞康、安科訊、歐陸通、坤興、格力、OPPO、倍思、公牛等多家電源廠及終端品牌供應商。沃爾德在升級維護現有産品的同時，也将持續關注市場動态，不斷輸出創新思維，應對市場需求研發新産品，協助客戶解決技術上或應用上的難題，增強品牌競争力。

沃爾德期望與大家攜手共進，為國産半導體行業添磚加瓦。

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