簡稱埋層,是隐埋在矽片體内的高摻雜低電阻區。埋層在制作集成電路之前預先“埋置”在晶片體内。一般雙極型集成電路中需要增添隐埋層。作用:減小集電極串聯電阻,減小寄生PNP管的影響。
舉例:在半導體内,多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子(空穴和電子)都參與有源元件的導電,如通常的NPN或PNP雙極型晶體管。以這類晶體管為基礎的單片集成電路,稱為雙極型集成電路。雙極型集成電路添置隐埋層:雙極型集成電路中晶體管的集電極,必須從底層向上引出連接點,因而增加了集電極串連電阻,這不利于電路性能。為了減小集電極串連電阻,制作晶體管時在集電極下邊先擴散一層隐埋層,為集電極提供電流低阻通道和減小集電極的串聯電阻。
更多精彩资讯请关注tft每日頭條,我们将持续为您更新最新资讯!