HClO和HClO3中氯原子皆為sp3雜化,空間電子雲分布呈正四面體,HClO中氯原子的3個雜化軌道被填滿,剩下一個與sp3雜化的氧原子的一個軌道重疊,電子雲密度更接近氧原子,從而使氯原子更容易得到電子對被氧化,或者鍵斷裂形成自由基,由此具有強氧化性。HClO3中氯原子有2個滿電子的雜化軌道用來填補2個氧原子的空雜化軌道,軌道為空所以能級更高,更不穩定,由此亦具有強氧化性,但是跟HClO相類似的那根HOCl中氧原子和氯原子之間的鍵,由于氯原子受其餘兩個氧原子的吸電影響,此鍵的電子雲密度更傾向于氯原子,從而使這個鍵跟HClO相比不那麼容易被拆成自由基。根據實驗結果HClO氧化性更強,應該是氯氧鍵活性比氯氧雙鍵更高,更體現出氧化性。
更多精彩资讯请关注tft每日頭條,我们将持续为您更新最新资讯!