是指金屬與半導體的接觸,而其接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻,使得組件操作時,大部分的電壓降在于活動區而不在接觸面。
欲形成好的歐姆接觸,有二個先決條件:
1、金屬與半導體間有低的界面能障。
2、半導體有高濃度的雜質摻入前者可使界面電流中熱激發部分增加;後者則使界面空乏區變窄,電子有更多的機會直接穿透歐姆接觸,無适當的金屬可用,必須于半導體表面摻雜高濃度雜質。
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