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半導體pn結形成原理

生活 更新时间:2024-11-10 15:49:08

大家好,我是電器電,昨天我們初步講過pN結是怎麼回事?那麼我們今天就來具體的講一下pN結原理!請看下圖

半導體pn結形成原理(詳解pN結原理及内電場對空穴和自由電子的影響)1

圖中左邊為p區右邊為N區,p區空穴多(空穴為多子電子為少子)N區自由電子多(自由電子為多子空穴為少子)就會産生擴散運動!這時候

空穴從p到N,電子從N到p産生複合,這樣在p區一側留下帶負電的雜質離子,在N區一側留下帶正電的雜質離子。雜質離子不能移動形成空間電荷區,如圖所示

半導體pn結形成原理(詳解pN結原理及内電場對空穴和自由電子的影響)2

圖中空間電荷區隻是為了讀者看的方便(實際不隻兩層)既然一面為正電一面為負電,那麼根據高低電位的關系在空間電荷區内部就會産生一個内電場,電場方向(由N到p)由正指向負如圖中紅色箭頭表示

在這裡大家一定要記住這句話

内電場增強不利于多子的擴散印有利于少子的漂移。

如果你沒有理解這句話那麼很難說清你懂不懂電子!

當空穴和電子複合一層層推進的時候空間電荷區變寬這時候内電場增強,阻止多子擴散的運行,同時又促進了少子的漂移運動!

當多子的擴散和少子的漂移達到動态平衡這時候我們把空間電荷區叫做pN結,也叫耗盡層。

圖中為對稱型pN結也就是說p區和N區相等當然也會有不對稱型的我們以後會講。

最後感謝大家收看!

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