材料分析測試技術複試題?材料分析測試技術複習參考資料(注:所有的标題都是按老師所給的“重點”的标題,),接下來我們就來聊聊關于材料分析測試技術複試題?以下内容大家不妨參考一二希望能幫到您!
材料分析測試技術複習參考資料(注:所有的标題都是按老師所給的“重點”的标題,)
第一章x射線的性質
1.X射線的本質:X射線屬電磁波或電磁輻射,同時具有波動性和粒子性特征,波長較為可見光短,約與晶體的晶格常數為同一數量級,在10-8cm左右。其波動性表現為以一定的頻率和波長在空間傳播;粒子性表現為由大量的不連續的粒子流構成。
2,X射線的産生條件:a産生自由電子;b使電子做定向高速運動;c在電子運動的路徑上設置使其突然減速的障礙物。
3,對X射線管施加不同的電壓,再用适當的方法去測量由X射線管發出的X射線的波長和強度,便會得到X射線強度與波長的關系曲線,稱為X射線譜。在管電壓很低,小于某一值(Mo陽極X射線管小于20KV)時,曲線變化時連續變化的,稱為連續譜。在各種管壓下的連續譜都存在一個最短的波長值λo,稱為短波限,在高速電子打到陽極靶上時,某些電子在一次碰撞中将全部能量一次性轉化為一個光量子,這個光量子便具有最高的能量和最短的波長,這波長即為λo。λo=1.24/V。
4,特征X射線譜:
概念:在連續X射線譜上,當電壓繼續升高,大于某個臨界值時,突然在連續譜的某個波長處出現強度峰,峰窄而尖銳,改變管電流、管電壓,這些譜線隻改變強度而峰的位置所對應的波長不變,即波長隻與靶的原子序數有關,與電壓無關。因這種強度峰的波長反映了物質的原子序數特征、所以叫特征x射線,由特征X射線構成的x射線譜叫特征x射線譜,而産生特征X射線的最低電壓叫激發電壓。
産生:當外來的高速度粒子(電子或光子)的動aE足夠大時,可以将殼層中某個電子擊出去,或擊到原于系統之外,或使這個電子填到未滿的高能級上。于是在原來位置出現空位,原子的系統能量因此而升高,處于激發态。這種激發态是不穩定的,勢必自發地向低能态轉化,使原子系統能量重新降低而趨于穩定。這一轉化是由較高能級上的電子向低能級上的空位躍遷的方式完成的,電子由高能級向低能級躍遷的過程中,有能量降低,降低的能量以光量子的形式釋放出來形成光子能量,對于原子序數為Z的确定的物質來說,各原子能級的能量是固有的,所以.光子能量是固有的,λ也是固有的。即特征X射線波長為一固定值。
能量:若為K層向L層躍遷,則能量為:
各個系的概念:原于處于激發态後,外層電子使争相向内層躍遷,同時輻射出特征x射線。我們定義把K層電子被擊出的過程叫K系激發,随之的電子躍遷所引起的輻射叫K系輻射,同理,把L層電子被擊出的過程叫L系激發,随之的電子躍遷所引起的輻射叫L系輻射,依次類推。我們再按電子躍遷時所跨越的能級數目的不同把同一輻射線系分成幾類,對跨
越I,2,3..個能級所引起的輻射分别标以α、β、γ等符号。電子由L—K,M—K躍遷(分别跨越1、2個能級)所引起的K系輻射定義為Kα,Kβ譜線;同理,由M—L,N—L電子躍遷将輻射出L系的Lα,Lβ譜線,以此類推還有M線系等。
莫賽萊定律:特征X射線譜的頻率或波長隻取決于陽極靶物質的原子能級結構,而與其它外界因素無關。
5,X射線的吸收:
X射線照射到物體表面之後,有一部分要通過物質,—部分要破物質吸收,強度為I的X射x射線在均勻物質内部通過時,強度的衰減率與在物質内通過的距離x成比例:—dI/I=μdx。比例系數μ稱為線吸收系數。
二次特征X射線:當一個能量足夠大的光量子入射到物質内部,會産生一個特征X射線,這種由X射線激發所産生的特征X射線稱為二次特征X射線,也成為熒光X射線。
吸收限:表示産生某物質K系激發所需的最長波長,稱為K系特征輻射的激發限,也叫吸收限。λk=1.24/Uk=hc/eUk。
餓歇效應:原子發射的一個電子導緻另一個或多個電子(俄歇電子)被發射出來而非輻射X射線(不能用光電效應解釋),使原子、分子成為高階離子的物理現象,是伴随一個電子能量降低的同時,另一個(或多個)電子能量增高的躍遷過程。
吸收限的應用:陽極靶的選擇:若K系吸收限為λk,應選擇靶材的Kα波長稍稍大
第二章X衍射的方向
1,相幹條件:兩相幹光滿足頻率相同、振動方向相同、相位差恒定(即π的整數倍)或波程差是波長的整數倍。
2,X衍射和布拉格方程:
波在傳播過程中,在波程差為波長整數倍的方向發生波的疊加,波的振幅得到最大程度的加強,稱為衍射,對應的方向為衍射方向,而為半整數的方向,波的振幅得到最大程度的抵消。
布拉格方程:2dsinθ=nλ。d為晶面間距,θ為入射束與反射面的夾角,λ為X射線的波長,n為衍射級數(其含義是:隻有照射到相鄰兩鏡面的光程差是X射線波長的n倍時才産生衍射)。該方程是晶體衍射的理論基礎。
産生衍射的條件:衍射隻産生在波的波長和散射中間距為同一數量級或更小的時候,因為λd/2d′=sinθ<1,nλ必須小于2d′。因為産生衍射時的n的最小值為1,故λ<2d′;能夠被晶體衍射的電磁波的波長必須小于參加反射(衍射)的晶體中最大面間距的二倍,才能得到晶體衍射,即nλ<2d。
衍射方向:衍射方向表達式
上式即為晶格常數為a的{hkl}晶面對波長為λ的x射線的衍射方向公式;上式
表明,衍射方向決定于晶胞的大小與形狀。也就是說,通過測定衍射束的方向,可以測出晶胞的形狀和尺寸。至于原子在晶胞内的位置,後面我們将會知道,要通過分析衍射線的強度才能确定。
衍射方法:勞埃法;周轉晶體法;粉末法;平面底片照相法
第三章X射線衍射強度
1.強度的概念:x射線衍射強度,在衍射儀上反映的是衍射峰的高低(或積分強度——衍射峰輪廓所包圍的面積),在照相底片上則反映為黑度。嚴格地說就是單位時間内通過與衍射方向相垂直的單位面積上的X射線光量子數目,但它的絕對值的測量既困難又無實際意義,所以,衍射強度往往用同一衍射團中各衍射線強度(積分強度或峰高)的相對比值即相對強度來表示。
2,結構因子:因原子在晶體中位置不同或原子種類不同而引起的某些方向上的衍射線消失的現象稱之為“系統消光”。根據系統消光的結果以及通過測定衍射線的強度的變化就可以推斷出原子在晶體中的位置;定量表征原于排布以及原子種類對衍射強度影響規律的參數稱為結構因子。
(1)電子散射:
A.相幹散射:x射線在電子上産生的波長不變的具有幹涉性質的散射,入射線和散射線的位相差是恒定的,稱之為相幹散射或叫彈性散射。
B.一個電子将x射線散射後,在距電子為R處的強度表示為:
C 電子散射特點: (1)散射線強度很弱,約為入射強度的幾十分之一;(2)散射
線強度與到觀測點距離的平方成反比;(3)在2θ=0處,
,所以射強度最強,也隻有這些波才符合相幹散射的條件。在2θ≠0處散射線的強度減弱,在在2θ=90°時,因為
=1/2,所以在與入射線垂直的方向上減弱得最多,為20=o方向上的一半。在在θ=0,π時,Ie=1,在在θ=1/2π,3/2π時,Ie=1/2,這說明—束非偏振的X射線經過電子散射後其散射強度在空間的各個方向上變得不相同了,被偏振化了,偏振化的程度取決于20角。所以稱
為偏振因子,也叫極化因子。
(2)原子散射:
Ia=f(平方)*Ie,
(3)晶胞散射:
晶胞内所有原子相幹散射的合成波振幅Ab為:
單位晶胞中所有原子散射波疊加的波即為結構因子,用F表示,即:
對于hkl晶面的結構因子為:
3,消光條件:
注:原子在晶胞中的排列位置的變化,可以使原來可以産生衍射的衍射線消失,這種現象稱為系統消光。
4,測量方法:
最常用的方法為粉末法:
(一)粉末法中影響x衍射強度的因子有:結構因子、角因子(包括洛侖茲因子和極化因子)、多重性因子、吸收因子、溫度因子。
(1)結構因子:
F與晶胞結構有關,即與hkl有關。
(2)多重性因子:
P表示等同晶面個數對衍射強度的影響。
(3)洛倫茲因子:
(4)溫度因子:
(5)吸收因子:
與試樣形狀有關,即與試樣的吸收系數和試樣直徑有關。
(二)衍射強度公式的适用條件
(1)晶粒必須随機取向
(2)晶體是不完整的,粉末試樣應盡可能地粉碎,從而消除或減小衰減作用。
第四章多晶體分析方法
1,衍射花樣的指數化(基本方法、概念)
(1)先根據衍射花樣由式
或
(背反射)計算出θ(用角度表示);
(2)将立方晶系的面間距公式
代入布拉格公式得
;
(3)計算出
,再用
(式中下角标1表示第1條衍射線條),這
樣就得到一組系列,即:
(N為整數)
(4)把hkl按
由小到大排列,并根據系統消光條件就可以得到将晶體結構的特征間接反應到
的連比系列中來
(5)用測量、計算得到的系列N的比值來跟附錄表中各種晶體結構的N的比值來對比,從而可以确定晶體結構類型的推斷出各衍射線條的幹涉指數。
2,相機的分辨率:
影響因素:(1)相機半徑R越大,分辨率越高;(2)θ角越大,分辨率越高;(3)X射線的波長越長,分辨率越高;(4)面間距越大,分辨率越高。
2.點陣常數的精确測量
誤差:
,當θ接近于90°時,誤差最小,故當選取高θ角的衍射線。誤差分系統誤差和偶然誤差,偶然誤差不可排除,隻能降低。
(1)德拜法中系統誤差的來源:
a,相機半徑誤差
b,底片收縮誤差:
相機誤差和底片收縮誤差類似,可連寫成:
(可選取接近90°的θ角、采用反裝片法和不對稱裝片法來減小)
c,試樣偏心誤差:
d,吸收誤差:(難以精确計算)
e,x射線折射誤差:
經折射後校正的布拉格方程應寫為:
,
由此可知:
對立方晶系,其點陣常數的折射校正公式可近似表達為:
(2)德拜法中系統誤差校正方法:a,采用精密實驗技術方法;b,應用數學處理方法。
3,衍射儀
優點:速度快、強度相對精确、信息量大、精度高、分析簡單、試樣制備簡單。
方法:連續掃描測量方法;階梯掃描測量法。
實驗參數選擇:狹縫光闌的選擇;時間常數的确定;掃描速度的選擇。
(注:點陣常數的精确測量、衍射儀這兩部分本人實在沒看懂老師會考什麼玩意兒,僅供參考。)
第五章:x衍射的物相分析
1,基本原理:
每種結晶物質都有自己特定的晶體結構參數,如點陣類型、品胞大小、原子數目和原子在晶胞中的位置等。X射線在某種晶體上的衍射必然反映出帶有晶體持征的特定的衍射花樣(衍射位置θ、衍射強度I)。根據衍射線條的位置經過一定的處理便可以确定物相是什麼,這就是定性分析。
由于不同的物質各具有自己特定的原子種類、原子排列方式和點陣參數,進而呈現出特定的衍射花樣;多相物質的衍射花樣互不于擾,相互獨立,隻是機械地疊加;衍射花樣可以表明物相中元素的化學結合态。這樣,定性分析原理就十分簡單,隻要把晶體(幾萬種)全部進行衍射或照相,再将衍射花樣存檔,實驗時,隻要把試樣的衍射花樣與标準的衍射花樣相對比、從中選出相同者就可以确定了。定性分析實質上是信息(花樣)的采集處理和查找核對标準花樣兩件事情。
步驟:獲得衍射花樣—與标準花樣校對。
2,衍射卡片及檢索方法:
(1)衍射卡片的關鍵信息:
① d系列值;②三強線;③物相化學式及英文名稱;④礦物學通用名稱或有機結構式;⑤實驗條件;⑥卡片序号;⑦晶體學數據;⑧物相的物理性質;⑨試樣來源、制備方式及化學分析數據;⑩各欄中的“Ref.”均指該欄中的數據來源。
(2)檢索方法:
①數值索引:數值索引有兩種,哈氏無機數值索引和芬克無機數值索引。當不知所測物質為何物
時,用該索引較為方便。
哈氏索引中将每一種物質的數據在索引中占一行,依次為8條強線的晶面間距及其相對強度(用數字表示)、化學式、卡片序号、顯微檢索序号。
芬克無機數值索引與哈氏索引相類似,所不同的是以8條線的晶面間距值循環排列,每種物質在索引中可出現8次.另外芬克天機數值索引不出現化學式,而是在相當于哈氏索引的化學式的位置以化學名稱(英文)出現。
②戴維無機字母索引:該索引以英文名稱字母順序排列。索引中每種物質也占一行,依次列為物質的英文名稱、化學式、三強線晶面間距、卡片序号和顯微檢索序号。
3,物相定性分析方法:
基本程序:獲得衍射圖樣;測量衍射線條的位置(2θ);計算晶面間距d;确定強度(照相法用目測,衍射儀時可以直接讀出)
準确性的确定:制備試樣時,必須使擇優取向減至最小;晶粒要細小;注意相對強度随入射線波長不同而有所變化;必須選取合适的輻射,使熒光舒服降至最低,且能得到适當數目的衍射線條。
(1)單向物質的定性分析:當已經求出d和I/I1後,物相鑒定大緻可分為如下幾個程序。
(1)根據待測相的衍射數據,得出三條強線的晶面間距值d1,d2,d3(最好還應當适當
地估計它們的誤差)。(2)根據dl值(或d2,d3),在數值索引中檢索适當d組,找出與dl、d2、d3值複合較好的一些卡片。(3)把待測相的三條強線的d值和I/Il值與這些卡片上各物質的三強線d值和I/I1值相比較,淘汰一些不相符的卡片,最後獲得與實驗數據一一吻合的卡片,卡片上所示物質即為待測相.鑒定工作便告完成。
(2)複相物質的定性分析:當持測試樣為複相混合物時,其分析原理與單項物質定性分析
相同,隻是需要反複嘗試,分析過程自然會複雜一些。
4,定性分析的難點:晶體存在擇優取向時會使某根線條的強度異常強或弱;強度異常還會來自表面氧化物、硫化物的影響等;粉末衍射卡片資料來源不一,而且并不是所有資料都經過核對,因此存在不少錯誤;多相混合物的衍射線條有可能有重疊現象;當混合物中某相的含量很少,或該相各晶而反射能力很弱時,可能難于顯示該相的衍射線條,因而不能斷言某相絕對不存在。
5,定量分析基本原理和基本方法:
原理:根據衍射線條的位置和強度确定物相相對含量的多少。
(μ為吸收系數,Wα為兩相物質中α相的質量百分比;ρ為密度,K1為未知常數)
方法:(1)外标法:用内标法獲得待測相含量,是把多相混合物中待測相的某根衍射線強度與該相純物質的相同指數衍射線強度相比較而進行的。
(Ia為待測物強度,(Ia)0為标準樣品強度)
(2)内标法:外标法的試樣是在待測試樣中摻入一定含量的标準物質的混合物,把試樣中待測相的某根衍射線條強度與摻入試樣中含量已知的标準物質的某根衍射線條強度相比較,從而獲
得待測相含量。外标法僅限于粉末試樣。
(3)直接比較法:用直接比較法測定多相混合物中的某相含量時,是以試樣中另一個相的某根衍射線條作為标準線條作比較的,而不必摻入外來标準物質。适用于粉末,又适用于塊狀多晶試樣。
6,殘餘奧氏體的測量:
(1)獲取淬火鋼的衍射圖:
(2)按衍射強度公式,令
則:
奧氏體強度用角标γ表示,馬氏體用α表示:
當其他碳化物含量不可忽略時:
7,定量分析中實際分析時的難點及注意事項:
(1)擇優取向;(2)碳化物幹擾;(3)消光效應;(4)局部吸收(微吸收)效應。
第六章 宏觀應力測試
1.有幾類殘餘應力:
第一類應力:宏觀應力,作用在物體較大範圍,衆多晶粒範圍内平衡着的應力,由加工、熱處理等引起;
第二類應力:微觀應力,作用在晶粒、亞晶粒内部,由晶格發生彈性變形、溫度等所引起;
第三類應力:超微觀應力,作用在位錯線附近、析出相附近、晶界附近、複合材料界面等,由于不同種類的原子移動、擴散、原子重新排列使晶格畸變所造成。
2.對衍射線的影響:
對位置的影響、對強度的影響、對形态的影響:(如下圖)
第一個圖代表沒應力;第二個圖代表宏觀應力的影響;第三個代表微觀應力的影響。
3.測試的基本原理和方法:
(1)單軸應力測定原理:
在拉應力的6Y作用下,試樣沿y方向産生變形。假設某晶粒中的(hkl)晶面正好與拉伸方向相垂直,其無應力狀态下的晶面間距為do,在應力ρy作用下do擴張為dn′若能測得該晶面間距的擴張量Δd=dn′—do.則應變εy=Δd/do,根據彈性力學原理,應力為
Z方向和y方向的可根據:
計算;
;
(2)平面應力測定原理:(見書98-99頁)
;
。
(3)測試方法:
衍射儀法;應力儀法。
第七章,晶體的極射赤面投影
1,球面投影: 球面投影是将晶體多面體或空間點陣中的晶向和晶面投影到球面上的一種投影方法。将晶體置于一個投影球的球心處,并假設投影球的直徑很大,與其相比晶體的尺寸可以忽略不計,這樣可以認為被投影放入晶面都通過球中心。
極點:法線與投影面的交點。
極距:從N極沿子午線大圓向赤道方向至某一緯線間的弧線叫做極距。
緯度:從赤道沿子午線大圓向N或S極方向至某一緯線間的弧度叫緯度。
2,極射投影赤面投影、性質、應用:
極射面投影:是将球面投影再投影到赤道平面上去的一種投影方法。步驟是:首先作出晶面和晶向德球面投影得到相應的極點,然後再以S或N極為投影方向,将極點向赤道平面上投影。
極式網:以赤道平面為投影面所得到的極射赤面投影網稱為極式網。
吳裡夫網:是俄國晶體學家吳裡夫提出,是将緯線投影到 過NS軸平面上的投影方法。
晶體轉動:所謂晶體轉動,均是指已知轉動軸方向,要求測出轉動一定角度後晶體的新位向,分為三種情況:極點圍繞中心軸轉動、極點圍繞位于投影面上的一個軸轉動、極點圍繞與投影面相傾斜的軸轉動。
3,晶帶的極射赤面投影:
4,标準投影圖:如果将晶體中的重要晶面作出标準的極射赤面投影圖,那麼晶體結構中難以現實的晶體取向關系、晶帶關系、晶面夾角關系都可以一目了然。在作晶體的極射赤面投影時,通常選擇對稱性明顯的指數晶面作投影圖,将晶體中各個晶面的極點都投影到所選擇的投影面上去,這樣構成的極射赤面投影圖稱為标準投影圖,也叫極圖。
第九章,電子光學基礎
1.電磁透鏡的像差與分辨率本領
分辨率:分辨本領是指成像物體(試樣)上能分辨出來的兩個物點間的最小距離,即分辨率。光學顯微鏡的分辨本領為Δr0≈1/2λ。電磁透鏡的分辨率由衍射效應和球面像差來決定。
像差:像差分成兩類,即幾何像差和色差。幾何像差是因為透鏡磁場幾何形狀上的缺陷而造成的。幾何像差主要指球差和像散。色差是由于電子被的波長或能量發生一定幅度的改變而造成的。
球差:球面像差。是由于電磁透鏡的中心區域和邊緣區域對電子的折射能力不符合預定的規律造成的
像散:是由透鏡磁場的非旋轉對稱而引起的
色差:是由于入射電子波長(或能量)的非單一性所造成的
景深:我們把透鏡物平面允許的鈾向偏差定義為透鏡的景深,用Df來表示。
焦長:把透鏡像平面允許的軸向偏差定義為透鏡的焦長,用DL表示。
2.電磁透鏡
電磁透鏡:透射電子顯微鏡中用磁場來使電子波聚焦成像的裝置是電磁透鏡。
第十章,投射電子顯微鏡
1.成像基本原理:
透射電子顯微鏡是以波長極短的電子束作為照明源,用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨本領、高放大倍數的電子光學儀器。它由電子光學系統、電源與控制系統及真空系統三部分組成。電子光學系統通常稱鏡筒,是透射電子顯微鏡的核心,它的光路原理與透射光學顯微鏡十分相似,它分為三部分,即照明系統、成像系統和觀察記錄系統。
由電子槍發射出來的電子束,在真空通道中沿着鏡體光軸穿越聚光鏡,通過聚光鏡将之會聚成一束尖細、明亮而又均勻的光斑,照射在樣品室内的樣品上;透過樣品後的電子束攜帶有樣品内部的結構信息,樣品内緻密處透過的電子量少,稀疏處透過的電子量多;經過物鏡的會聚調焦和初級放大後,電子束進入下級的中間透鏡和第1、第2投影鏡進行綜合放大成像,最終被放大了的電子影像投射在觀察室内的熒光屏闆上;熒光屏将電子影像轉化為可見光影像以供使用者觀察。
2.光闌,位置、作用:
在透射電子顯微鏡中有三種主要光闌,它們是聚光鏡光闌、物鏡光闌和選區光闌。
(一)聚光鏡光闌:聚光鏡光闌的作用是限制照明孔徑角。在雙聚光鏡系統中,光闌常裝在第二聚光鏡的下方。
(二)物鏡光闌:又稱為襯度光闌.通常它被安放在物鏡的後焦面上。電子束通過薄膜樣品後會産生散射和衍射。散射角(或衍射角)較大的電子被光闌擋住,不能繼續進入鏡簡成像,從而就會在像平面上形成具有一定襯度的圖像。光鬧孔越小,被擋去的電子越多,圖像的襯度就越大,這就是物鏡光鬧又叫做襯度光鬧的原因。加入物鏡光闌使物鏡孔徑角減小,能減小像差,得到質量較高的顯微圖像。物鏡光闌的另一個主要作用是在後焦面上套取衍射束的斑點(即副焦點)成像,這就是所謂暗場像。利用明暗場顯微照片的對照分析,可以方便地進行物相鑒定和缺陷分析。
(三)選區光闌:又稱場限光闌或視場光闌。選區光闌一般都放在物鏡的像平面位置。使電子束隻能通過光闌孔限定的微區,以分析樣品上的一個微小區域。
第十一章 複型技術
質厚襯度原理:非晶樣品透射電子顯微圖像襯度是由于樣品不同微區間存在的原子序數或厚度的差異而形成的,即質量厚度襯度(質量厚度定義為試樣下表面單位面積以上柱體中的質量),也叫質厚襯度。質厚襯度适用于對複型膜試樣電子圖象作出解釋。質量厚度數值較大的,對電子的吸收散射作用強,使電子散射到光欄以外的要多,對應較暗的襯度。質量厚度數值小的,對應較亮的襯度。
質厚襯度原理成像原理:襯度是指在熒光屏或照相底片上.眼睛能觀察到的光強度或感光度的差别。電子顯微鏡圖像的襯度取決于投射到熒光屏或照相底片上不同區域的電子強度差别。對于非晶體樣品來說,入射電子透強(或樣品原子序數越大或密度越大),被散射到物鏡光闌外的電子就越多,面通過物鏡光闌參與成像的電子強度也就越低。
第十二章 電子衍射
1.倒易點陣:晶體的電子衍射(包括x射線單晶衍射)結果得到的是一系列規則排列的斑點。這些斑點雖然與晶體點陣結構有一定對應關系,但又不是晶體某晶面上原子排列的直觀影像。人們在長期實驗中發現,晶體點陣結構與其電子衍射斑點之間可以通過另外一個假想的點陣很好地聯系起來.這就是倒易點陣。倒易點陣是與正點陣相對應的量綱為長度倒數的一個三維空間(倒易空間)點陣。
2.電子衍射的基本公式:
如圖:
于是有:
3.電子衍射:
電子衍射的原理和x射線衍射相似,是以滿足(或基本滿足)布拉格方程作為産生衍射的必要條件。兩種衍射技術所得到的衍射花樣在幾何特征上也大緻相似。
4.單晶衍射的指數标點
第十三章,晶體薄膜衍襯成像分析
1.衍襯成像原理和光路圖:
2.明場相與暗場相
讓透射束通過物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法,叫做明場(BF)成像。所得到的像叫明場像。
把入射電子束方向傾斜2θ角度(通過照明系統的傾斜來實現),使B晶粒的(hkl)晶面組處于強烈衍射的位向,而物鏡光闌仍在光軸位置。此時隻有B晶粒的hkl衍射束正好通過光闌孔,而透射束被擋掉,這叫做中心暗場[CDF)成像方法。
3,用途
4,缺陷圖像的識别:
第十四章,掃描電子顯微鏡
1,各種信号的特點及作用
2,表面形貌襯度原理及應用
3,原子序數襯度原理及應用
第十五章,電子探針顯微分析及其他顯微分析
1,能譜分析各光譜分析(基本概念)
2,其他基本概念
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