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ccd相機哪個牌子像素好

生活 更新时间:2025-01-11 18:50:07

#相機#

CCD相機是在安全防範系統中,圖像的生成當前主要是來自CCD相機,CCD是電荷耦合器件(charge coupled device)的簡稱,它能夠将光線變為電荷并将電荷存儲及轉移,也可将存儲之電荷取出使電壓發生變化,因此是理想的CCD相機元件,以其構成的CCD相機具有體積小、重量輕、不受磁場影響、具有抗震動和撞擊之特性而被廣泛應用。

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中文名CCD相機 外文名charge coupled device camera 屬 性電荷耦合器件

别 名CCD圖像傳感器 作 用把光學影像轉化為數字信号 應用産品相機

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CCD,英文全稱:Charge coupled Device,中文全稱:電荷耦合元件,可以稱為CCD圖像傳感器。CCD是一種半導體器件,能夠把光學影像轉化為數字信号。 CCD上植入的微小光敏物質稱作像素(Pixel)。一塊CCD上包含的像素數越多,其提供的畫面分辨率也就越高。CCD的作用就像膠片一樣,但它是把圖像像素轉換成數字信号。CCD上有許多排列整齊的電容,能感應光線,并将影像轉變成數字信号。經由外部電路的控制,每個小電容能将其所帶的電荷轉給它相鄰的電容。作為一種光數轉化元件,CCD相機已被廣泛應用。

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依成像色彩

(1)MV彩色CCD相機:适用于景物細部辨别,如辨别衣着或景物的顔色。因有顔色而使信息量增大,信息量一般認為是黑白CCD相機的10倍。

(2)MV黑白CCD相機:是用于光線不足地區及夜間無法安裝照明設備的地區,在僅監視景物的位置或移動時,可選用分辨率通常高于彩色CCD相機中的黑白CCD相機

依分辨率

(1)影像像素在25萬像素(pixel)左右、彩色分辨率為330線、黑白分辨率400線左右的低檔型。

(2)影像像素在25萬~38萬之間、彩色分辨率為420線、黑白分辨率在500線上下的中檔型

(3)影像在38萬點以上、彩色分辨率大于或等于480線、黑白分辨率,600線以上的高分辨率。

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依靈敏度

(1)普通型:正常工作所需照度為1~31x

(2)月光型:正常工作所需照度為0.1x左右

(3)星光型:正常工作所需照度為0.01x以下

(4)紅外照明型:原則上可以為零照度,采用紅外光源成像。

按靶面大小

(1)lin靶面尺寸為寬12.7mmX高9.6mm,對角線16mm

(2)2/3in靶面尺寸為寬8.8mmX高6.6mm,對角線11mm

(3)1/2in靶面尺寸為寬6.4mmX高4.8mm,對角線8mm

(4)1/3in靶面尺寸為寬4.8mmX高3.6mm,對角線6mm

(5)1/4in靶面尺寸為寬3.2mmX高2.4mm,對角線4mm

(6)1/5in正在開發之中,尚未推出正式産品

此外CCD相機有PAL制和NTSC制之分,還可以按圖像信号處理方式劃分或按CCD相機結構區分。

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CCD相機與CMOS相機的區别

1. 成像過程

CCD與CMOS圖像傳感器光電轉換的原理相同,他們最主要的差别在于信号的讀出過程不同;由于CCD僅有一個(或少數幾個)輸出節點統一讀出,其信号輸出的一緻性非常好;而CMOS芯片中,每個像素都有各自的信号放大器,各自進行電荷-電壓的轉換,其信号輸出的一緻性較差。但是CCD為了讀出整幅圖像信号,要求輸出放大器的信号帶寬較寬,而在CMOS 芯片中,每個像元中的放大器的帶寬要求較低,大大降低了芯片的功耗,這就是CMOS芯片功耗比CCD要低的主要原因。盡管降低了功耗,但是數以百萬的放大器的不一緻性卻帶來了更高的固定噪聲,這又是CMOS相對CCD的固有劣勢。

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2. 集成性

從制造工藝的角度看,CCD中電路和器件是集成在半導體單晶材料上,工藝較複雜,世界上隻有少數幾家廠商能夠生産CCD晶元。CCD僅能輸出模拟電信号,需要後續的地址譯碼器、模拟轉換器、圖像信号處理器處理,并且還需要提供三組不同電壓的電源同步時鐘控制電路,集成度非常低。而CMOS是集成在被稱作金屬氧化物的半導體材料上,這種工藝與生産數以萬計的計算機芯片和存儲設備等半導體集成電路的工藝相同,因此生産CMOS的成本相對CCD低很多。同時CMOS芯片能将圖像信号放大器、信号讀取電路、A/D轉換電路、圖像信号處理器及控制器等集成到一塊芯片上,隻需一塊芯片就可以實現相機的的所有基本功能,集成度很高,芯片級相機概念就是從這産生的。随着CMOS成像技術的不斷發展,有越來越多的公司可以提供高品質的CMOS成像芯片。

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3. 速度

CCD采用逐個光敏輸出,隻能按照規定的程序輸出,速度較慢。CMOS有多個電荷-電壓轉換器和行列開關控制,讀出速度快很多,大部分500fps以上的高速相機都是CMOS相機。此外CMOS 的地址選通開關可以随機采樣,實現子窗口輸出,在僅輸出子窗口圖像時可以獲得更高的速度。

4. 噪聲

CCD技術發展較早,比較成熟,采用PN結或二氧化矽(SiO2)隔離層隔離噪聲,成像質量相對CMOS光電傳感器有一定優勢。

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