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昨晚都在回家的路上了,突然接到老大電話。
老大:新項目為什麼飛了一根線?
我:燈的控制線漏接了。
老大:(歎氣)不是說一版定闆嗎?
我:(小聲bb)我是說盡量啊。。。
算了算了,自己線沒接,說什麼都是錯的。。。
我們做電子産品,不免要跟存儲類産品打交道,也就是我們說的Memory,Memory從類别上可以分兩類:RAM和ROM。
目前消費類電子中的ROM幾乎都是Flash型的,主要有Nand和NOR兩大類,還有極小一部分是EPROM或者EEPROM的Flash。而RAM多是SDRAM或者DDRx SDRAM型的。實際上還有一類Memory,也是手機産品通常采用的:MCP。為什麼叫MCP呢?
因為它實際上是把RAM和ROM包在一起了。而根據内部包的東西,可以分為Nand SDRAM型、NOR SDRAM型,eMMC SDRAM型。這裡邊eMMC就是Nand型的一種,隻不過它裡邊包了Nand、SDRAM和相應的Nand接口控制器。(看到這裡,差不多也暈了吧,暈就對了~~~嘻嘻!)
小提示:想要了解ROM和RAM究竟有何區别嗎?建議大家可以查閱小何以前的文章,裡面寫的更詳細! 聊聊存儲器EMMC與DDR的那些事兒~~~
Memory家族分類
我們先來說Flash。通常,手機類嵌入式系統裡的Flash相當于電腦的硬盤,用來做硬件啟動、 軟件數據存儲和一些用戶數據存儲的。
NOR Flash的特點是傳輸效率高、容量小、貴。NOR Flash實行的是芯片内執行,應用程序可以直接跑在NOR上面,而不用把代碼取到RAM再讀。由于它自身結構特點,很難把NOR Flash做大,目前能做的最大的就是128MB的,做到這麼大的巨貴無比。。。一般都是4MB、8MB以下的應用場景會使用NOR Flash較多。基于它的特點,手機上已經早已看不見NOR Flash了。
NandFlash的特點是高的寫入和擦除速度、容量大、便宜。
一個8MB的NOR Flash 比一個128MB的NandFlash便宜不了幾毛錢,可想而知這個價格差距是有多大。但是Nand有自己的缺點:就是在使用過程中會産生壞塊,并且容易産生位反轉(NOR也會發生位反轉,但概率不高)。這就要求Nand在使用時候CPU要有針對它相應的壞塊管理和ECC校驗位檢測。
SLC一個晶圓根據它的電壓儲存一個位,内容為0或1兩個數字,MLC一個晶圓能存兩位,内容為00、01、10、11四個,TLC就是能存三位了,表示八個數字。可以發現相同晶圓的TLC要比SLC容量多了7倍,但是,MLC是根據電壓來分成八位的,存在很多不穩定因素,可靠性極差,擦寫次數也很少,大概壽命500次擦寫左右,因此一般來講很少會用MLC。
相對來講SLC的品質就很高,品質好的壽命可以達到上萬次的擦寫。我們通常使用的以SLC居多,MLC也有少量。現在,由于工藝的提高,要求元器件尺寸越來越小,Nand和NOR的大尺寸不能滿足生産需要,于是一種SPI Nand/NOR Flash應運而生。
512K SPI FLASH
顧名思義,它的本質還是Nand/NOR,隻不過接口改用了SPI接口。現在很多CPU都會兼容SPI Nand/NOR的FLASH,讓選擇可以更多一些。而SPI NandFlash由于做了接口處理,所以也有相應的壞塊管理功能在裡面,減少了CPU的内存資源。多說一句,我們通常說的SPI Flash默認指的就是SPI NOR Flash,如果你想要Nand的話一定要特别強調說出來是SPI NandFlash。
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