熱電子效應是由于在器件尺寸縮小的過程中,電源電壓不可能和器件尺寸按同樣比例縮小,這樣導緻MOS器件内部電場增強。當MOS器件溝道中的電場強度超過100千伏每厘米時,電子在兩次散射間獲得的能量将可能超過它在散射中失去的能量,從而使一部分電子的能量顯著高于熱平衡時的平均動能而成為熱電子。高能量的熱電子将嚴重影響MOS器件和電路的可靠性。熱電子效應主要表現在以下三個方面,第一方面為熱電子向栅氧化層中發射,第二方面為熱電子效應引起襯底電流,第三方面為熱電子效應引起栅電流。
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