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直拉法制備單晶矽的原理

知識 更新时间:2024-09-08 13:45:20

  首先搞清楚四個基本概念、晶體、非晶體、單晶、多晶。直拉法制備單晶矽原理:将多晶矽通過熱場加熱,融化成熔融狀态,通過控制熱場将液面溫度控制在結晶的臨界點,通過液面上方的單晶籽晶從液面向上提拉,溶矽随着籽晶的提拉上升按照籽晶的晶向生長出單晶矽圓。

  矽的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質,是一種良好的半導材料。純度要求達到幾乎百分之百,甚至以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶矽在單晶爐内拉制而成。

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