受電子産品的小、輕、薄的驅動，封裝領域也是不斷開發出新的封裝type。上一章就有說到CSP封裝就是比較革命性的産品，Size是裸芯片的1.2倍甚至同等大小，尤其随着移動電子的興起，這種裸芯片封裝(Wafer Level CSP)封裝已經是最小最省錢的封裝方式了，雖然前期需要RDL的光罩費用，但是它省去了Leadframe的費用，直接solder bump焊接到主闆上即可。

CSP(Chip-Scale or Chipe-Size Package)的concept起源于1990s，follow的是IPC/JEDEC J-STD-012标準，它主要應用于Low pin count的EEPROMs、ASICs 以及microprocessors (MCU)等，尤其當Wafer越大而Die又越小的時候，其成本會更有優勢。

CSP封裝主要的步驟為： 把die mount到epoxy interposer上，再用wire bond (gold or Al)将PAD和基闆連接起來，第三步用MoLDIng Plastic封裝保護Die和Wire，最後再将Solder ball貼到Interposer底部。

當然上面的wire bond會讓封裝比起die size還要大一點。而且從die到lead frame上的導線還有連接阻抗的，後來發展到用bump代替wire bond，所以就發展到Flip chip代替Wire bond封裝，這樣就節省了wire bond的空間了，所以就可以做到Die幾乎等size的package了。

那說到倒片封裝(FC: Flip-Chip)，自然就要講到這個bump了，不可能把die切割了再去長這個bump吧，所以必須在Wafer還沒切割之前就做完這個process，所以就叫做Wafer Level CSP封裝了 (WLCSP)。

Flip-Chip封裝主要的三個步驟，Die上長bumps，臉朝下把長好球的die貼倒貼到襯底或者基闆上，然後填充(underfilling)。

WLCSP現在已經是封裝技術的主流，主要有兩種，一種是直接BOP (Bump On Pad)，還有一種是RDL (Redistribution Layer)。BOP技術還需要根據是否需要Polymer做re-passivation，再分為BON(Bump on SiN)和BOR (Bump on Repassivation)。BOP廣泛應用于Analog/Power封裝，它由于電流是直接垂直流過，沒有橫向RDL，所以對于功率器件封裝很有優勢，Cost也很低，但是它的Pin count比較有限，所以才發展到RDL Bump。BOP是直接把UBM/Bump錨在Top Metal的PAD上，而RDL Bump是用Polymer (Polyimide或PBO) 隔離并布線并且把Bump與device surface隔開。

再簡單講一下RDL Bump 銅柱的工藝流程吧，和FAB工藝差不多吧，四層光罩即可。RDL之間的dielectric用Polyimide隔離。Metal可以用電鍍長上去(Seed用Sputter)。

成型之後的RDL Bump就是如下圖的樣子：

最早的WLCSP是Fan-In的，意思就是bump全部長在die上，而die和Pad的連接主要就是靠RDL的Metal Line來連接的。與之對應的就是Fan-Out的WLCSP封裝，這就是把bump長到chip外面去了 (1.2倍)，面積大點，bump的壓力不會對芯片造成損傷。

講solder ball之前，還是總結一下Flip-Chip和WLCSP之間到底區别是什麼？Flip-chip一般還是需要襯底的，隻是它通過solder ball倒裝貼上去的(代替Wire bond)而已，而WLCSP是把長好的球做好之後直接貼到PCB闆上去。

好了，不管是Flip-Chip還是WLCSP都需要一個東西叫做Solder Ball (錫球)，那接下來該講解Solder Ball了，這些Bump是怎麼長上去的。

先講講為啥用錫球？那就要回答一個問題，Solder Ball的技術要求是什麼？

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