今天從手機到電視，我們已經離不開大規模集成電路。但很多人不知道的是，7月30号，其實是大規模集成電路的生日。這一切都和一個人緊密相關，他就是羅伯特·諾伊斯，今天我們就來回溯一下那個時代，以為以大規模集成電路為标志，人類進入了全新的紀元。

第一塊集成電路的誕生地已經成為美國曆史地标

麻省理工高材生

諾伊斯在讀書的時候，其實相當全材，遊泳拿過美國中西部比賽的第一名，還會演奏雙簧管，也演過舞台劇。他中學畢業之後，讀的學校叫做格林内爾學院，學習的是物理和數學兩個專業。在物理課上，學院當時的系主任加爾利用個人關系，展示了當時貝爾實驗室制作出來的第一批晶體管中的兩個，這引起了他濃厚的興趣。諾伊斯非常聰穎，加爾建議他去學習物理，神器麻省理工學院。

上學時期就以聰明著稱

諾伊斯在麻省的時候，因為思維敏捷，研究生院都叫他“快速的羅伯托（Rapid Robert），他在MIT的博士畢業論文題目是緣體表面狀态的光電研究。

追随與叛逆

諾伊斯畢業之後在東海岸的費城Philco公司工作了三年。然後他就在1956年，追随三極管的發明者、諾貝爾物理學家獲得者肖克利，加入了肖克利半導體實驗室，由于這個公司人均博士，所以當時還有博士生産線的美名。

半導體工業著名的八叛逆

好景不長，諾伊斯等人受夠了肖克利獨裁式的管理方式，在一年之後集體叛逃，由于當時叛逃的人一共有8名，他們就是半導體工業曆史上著名的”8叛逆“，這些人集體創辦了一個新公司：大名鼎鼎的飛兆半導體（也有譯作仙童半導體，Fairchild Semiconductor）。

諾伊斯與集成電路

1959年，諾伊斯和集成電路的母版

8叛逆人均大神的水平。在傑克-基爾比于1958年發明了第一個混合集成電路（hybrid IC）之後，諾伊斯于1959年的7月30号，獨立發明了一種新型的集成電路，即單片集成電路（monolithic IC）。它比基爾比的實現更加實用。諾伊斯的設計是由矽制成的，而基爾比的芯片是由鍺制成的。諾伊斯的發明是第一個單片集成電路芯片。與基爾比基爾比的集成電路有外部電線連接不同，這導緻無法大規模生産，諾伊斯的單片集成電路芯片将所有元件放在矽片上，用銅線連接。諾伊斯的單片集成電路的基礎是平面工藝，由Jean Hoerni在1959年初開發。反過來，Hoerni的平面工藝的基礎是Mohamed Atalla在1957年開發的矽表面鈍化和熱氧化方法。

矽谷市長

霍夫勒的一系列報道，讓矽谷這個名字名噪全球

矽谷這個名字，在上世紀70年代，很可能是當時半導體公司的營銷人員的說法。但真正發揚光大的是霍夫勒，他當時在《電子新聞》工作，他在1971年寫了一個圍繞矽谷的半導體産業的專欄，這個專欄一系列文章的标題，他都用了矽谷這個當時的新詞，迅速獲得了廣泛的認可。

務實是諾伊斯的傳統

而在1968年的時候，諾伊斯已經和摩爾一起創辦了英特爾，并成長成為全球半導體工業的巨頭，而諾伊斯因為是當時英特爾的CEO，所以坊間稱其為矽谷市長。諾伊斯的管理風格可以說是 "卷起袖子"。他避開了豪華的公司汽車、保留的停車位、私人飛機、辦公室和家具，而選擇了一個結構較少、輕松的工作環境，在這種環境中，每個人都做出貢獻，沒有人得到奢侈的福利。通過拒絕通常的高管津貼，他成為未來幾代英特爾CEO的典範。

關于諾伊斯發明集成電路的故事就倒這裡了，之前我們寫過關于英特爾另外一個聯合創始人摩爾的文章，可以結合起來看這些天才如何改變了世界。當然今天全球半導體産業的格局也在發生變化，誰也沒法預言未來是什麼樣子。

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