CFan曾在《“芯”希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術是個什麼鬼？ 》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生産7nm或更先進制程工藝的技術，特别是在5nm→3nm這個關鍵制程節點上，沒有EUV，依靠現有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉的。

　　有意思的是，三星最近竟然将EUV與相對上古的10nm工藝結合，用于量産旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。

　　據悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的後綴，是Gb而不是GB，16Gb對應的其實是2GB。

　　基于1z nm EUV工藝打造的16Gb LPDDR5内存芯片已經達成了業内當前的最高容量和最佳性能，其帶寬速度為6400Mbps（也可以理解為6400MHz），比現在最快的12Gb（1.5GB）LPDDR5-5500快了16%。

　　除了速度更快，1z nm EUV工藝還讓内存芯片的厚度較上代（1y nm）薄了大約30%。

　　可能很多小夥伴還不太了解手機内存芯片變薄的意義。手機内存和PC内存條不一樣，目前PC領域的内存顆粒多以10nm工藝的8Gb為主，即單顆1GB的容量。無論是台式機内存還是筆記本内存，想達成單條16GB的目标，需要在PCB主闆正反共集成16顆8Gb顆粒。

　　台手機内存

　　筆記本内存

　　手機和PC的最大差異是，前者的整套主闆都沒有筆記本内存條的PCB主闆大，能留給内存的空間隻夠焊上一顆内存顆粒。

　　因此，手機内存隻能采用更加節省空間的PoP（Package on Package）封裝技術，翻譯過來就是元件堆疊裝配技術，我們可以将它理解為疊羅漢，即将多顆内存芯片摞在一起，和現在SSD領域的3D堆疊技術很像。比如，手機圈現有的12GB内存，其實就是由8片12Gb的内存芯片“打包”封裝的。在1z nm EUV工藝出現前，16GB手機内存則是由12GB（8×12Gb） 4GB（4×8Gb）内存模塊組成的。

　　因此，1z nm EUV提升了單顆内存芯片的容量，還減少了厚度，可以由更少的内存芯片組成16GB容量，還能進一步減少内存模塊對手機内部空間的占用，優勢多多。

　　對了，如果你拆開手機，一般是看不到SoC（處理器）芯片的，因為這顆芯片通常都藏在了内存芯片的下方，它們也是PoP封裝摞在一起的。這種堆疊封裝可以縮短處理器和内存之間的金屬引線，可有效降低線路噪音、訪問延遲、電力損耗，還能進一步節省主闆空間。

　　需要注意的是，雖然1z nm EUV LPDDR5内存擁有6400MHz的頻率，但現有的SoC卻都還無法享用它，因為截至目前隻有骁龍865支持LPDDR5，而且還僅支持到LPDDR5-5500。如果不出意外，明年上市的骁龍875應該将支持LPDDR5-6400。

　　将于下月發布的麒麟9000應該也支持LPDDR5，但是否能支持到6400MHz的頻率還不得而知。

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