IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣栅雙極型功率管,是由雙極型三極管(BJT)和絕緣栅型場效應管(MOS)組成的複合全控型電壓驅動式電力電子器件。具有高輸入阻抗、驅動功率小而飽和壓降低、開關速度快等優點。缺點:是過壓、過熱、抗沖擊、抗幹擾等承受力較低。常用于數控機床中的電源模塊、伺服模塊、變頻器、逆變器……等等。
上圖為外形圖
上圖為三相内部等效電路圖
怎樣判斷IGB判斷模塊的好壞
這裡選擇指針式萬用表為例
選擇Rx10K電阻檔
上圖單個模塊内部等效電路圖
方法為:用黑表筆(内部電池正極)接 IGBT 的集電極( C ) ,紅表筆(内部電池負極)接 IGBT 的發時極 ( E ) ,此時萬用表的指針不動,即左側最大位置。用手指同時觸及一下栅極 G 和集電極 C ,相當于對栅極 G 加上工作電壓,這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針向右擺向阻值較小的方向,并指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下栅極 G 和發射極 E ,相當于給發射極 E 加上負壓。這時 IGBT 被阻斷,萬用表的指針又回左側最大值。此時即可判斷 IGBT 是好的。
注意:一定要選擇指針式萬用表的Rx10K,因R×10K檔是用的疊成電池(9或15伏),其他電阻檔位,電池電壓為1.5V。IGBT是不能工作的。
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