1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析
2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）
（1）材料内部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉澱物，
（2） 内部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。
3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發生失效後首先使用的非破壞性分析手段）
4.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規微區分析，精确測量元器件尺寸）
5.取die，開封 使用激光開封機和自動酸開封機将被檢樣品(不适用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品内部結構暴露。
6. EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發熱點，LC要借助探針台，示波器）
7.切割制樣:使用切割制樣模塊将小樣品進行固定，以方便後續實驗進行
8.去層:使用等離子刻蝕機(RIE)去除芯片内部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結構，可利用研磨機進行研磨去層。
9. FIB做一些電路修改，切點觀察
10. Probe Station 探針台/Probing Test 探針測試。
11. ESD/Latch-up靜電放電/闩鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發生後才想到要篩取良片送驗）這些已經提到了多數常用手段。
除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質譜 SIMS，飛行時間質譜TOF － SIMS ，透射電鏡TEM ， 場發射電鏡，場發射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測試系統，能量損失 X 光微區分析系統等很多手段，不過這些項目不是很常用。
芯片分析
分析步驟：
1.一般先做外觀檢查，看看有沒有crack，burnt mark 什麼的，拍照；
2.非破壞性分析：主要是xray--看内部結構，超聲波掃描顯微
鏡（C-SAM）--看有沒delaminaTIon，等等；
3.電測：主要工具，IV，萬用表，示波器，sony tek370b；
4.破壞性分析：機械decap，化學 decap 芯片開封機。
更多精彩资讯请关注tft每日頭條，我们将持续为您更新最新资讯!
zpostcode 
Recruit 
weather 
mreligion 
Yellowpages 
sport 
constellation 
shopping 
name 
game 
directory 
literature 
Word 
tour 
furnish 
Lottery 
tftnews 
lyrics 
News 
digital 
car 
dir 
Edu 
Finance 
