然後我在bios修改了時序14-18-18-36-cr2(内存電壓1.25v)測試數據(如下圖,實拍)
此後我便再次進bios修改時序為:
14-16-16-36-cr2(内存電壓1.25v)測試數據如下圖
顯然讀寫速度有所提升,但是對于像我這樣刁鑽的“高手”怎麼會就此輕輕松松呢?
我便開始進入bios修改cr值(cr1速度會快一點。但是兼容性會低,不建議内存插槽插滿的兄弟們選。提升不會大太多,而cr2兼容性會更好,更穩定。)
時序修改為14-16-16-36-cr1(内存電壓1.25v)
如圖,速度有所提升,時序c14比c16整整高了百分之四十,為了确定能穩定遊玩才是關鍵,因此我也開始漫長的烤機,壓力測試兩個小時。确定穩定,正常使用。
PS:超頻有風險,一步一步細節去弄,把所有的内容都理解了在弄好啦!兄弟們!馬上pubg競技模式可以打啦!盡情流暢pubg吧!
- 時序越低,速度越快。但是如果内存顆粒的體質不行,還是調不了太多的,電壓隻需要加0.05v,如果是超頻率了就得在這個數值上加0.05v。
- 如果大家主闆芯片組支持内存頻率超頻,想暢享遊玩pubg決賽圈不掉幀,3200mhz内存頻率往上就很穩定了喲!
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