目前在計算機主闆和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丢失數據，有時又稱為Flash（閃存）或者ROM（Read-Only Memory），運行速度較慢，主要用于存儲程序代碼以及永久的數據信息等；另一種是易失性，即掉電會丢失數據，有時又稱為RAM（Random Access Memory，随機存儲器），運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。通常所說的計算機或者手機内存的大小就是指其配置的RAM的容量大小。

其實，我們的手機或電腦下載的APP軟件，會保存到非易失性存儲器中，無論上電還是關機，程序一直保存在非易失性存儲器中，當我們打開該APP軟件，例如：打遊戲（王者榮耀APP）、看電影（騰訊APP）等，相應的軟件程序會被加載到易失性存儲器（内存）中運行，所以說APP運行的速度和RAM存儲器有着直接的關系，也就是内存的性能決定你的設備運行速度，這也是買手機或電腦時，内存越大，頻率越高，價格越貴的關系。

NAND Flash

NOR Flash

DDR3顆粒

今天簡單給大家介紹一下DDR3的内部是一個存儲陣列，将數據"填"進去，可以想象成一張表格，和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（ROW），再指定一個列（Column），就可以準确地找到所需要的單元格，這就是内存芯片尋址的基本原理。對于内存，這個單元格可稱為存儲單元，這個表格（存儲陣列）就是邏輯Bank(Logic Bank)

B代表Bank地址編号 C代表列地址編号 R代表行地址編号，如果尋址命令是B1 R2 C3就能确定地址是圖中紅格的位置。目前DDR3内存芯片基本上都是8Bank設計，也就是說一共有8個這樣的表格。尋址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然後指定列地址，最終的尋址單元。

下面說一下内存的容量怎麼計算，單顆DDR3，行（Row）地址線複用14根，列（Column）地址線複用10根，Bank數量為8個，I/O Buffer 通過8組數位線（DQ0-DQ7）來完成對外的通信，故此單顆DDR3芯片的容量為2的14次方 乘 2的10次方 乘 8 乘 8，結果為1Gbit，因為1B包含8bit，1Gb/8=128MB。

如果我們要做成容量為1GB的内存條則需要8顆這樣的DDR3内存芯片，每顆芯片含8根數位線（DQ0-DQ7）則總數寬為64bit，這樣正好用了一個Rank。

如果還用128MB的DDR3芯片去做2GB内存條，結果就會有所不同。我們最好選用4根數位線（DQ0-DQ3），數量是16顆，這樣也是用了一個Rank。如果要做容量為8GB的内存條，則數量用64顆128M的DDR3，這樣位寬高達64X4=256bit，要做成4個Rank。

内存條

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