2017年半導體産業締造了一項新紀錄。

國際研究機構Gartner研究總監George Brocklehurst表示，這項記錄便是三星将英特爾擠下全球半導體營收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來連續25年“全球第一大廠”的名頭就此讓位。Gartner最新的統計結果顯示，2017年全球半導體營收總計4204億美元，較2016年的3459億美元增長21.6%。

此外，根據IC Isights等機構的統計數據，從營收來看，全球前三大半導體公司中韓國占據兩席，三星、SK海力士分别位居一、三名。三星、SK海力士在2017年營收大增，主要和芯片短缺造成的價格走高有關。

自20世紀80年代三星建立半導體研究與開發實驗室起至今，韓國半導體産業發展可謂“勵志”。

不到40年的時光中，韓國的半導體産業在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長為半導體産業之林的巨擘，離不開密集的技術援助、政府的強力保護以及企業的“死磕”。

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超越：三星的崛起

1983年是韓國半導體産業的曆史轉折點。

韓國财團的進入讓半導體行業進入大規模集成(VLSI)生産時代，這些包括三星、金星社以及現代公司（後改名為海力士半導體，并被SK集團收購）等企業。這實現了韓國工業的質變——從簡單的裝配生産到精密的晶片加工生産。

20世紀80年代，三星和現代的财團都在尋找未來的商業領域，最終他們的目标是，從工業基地轉型為更具高科技導向的産業。當三星決定通過其電子業務進入大規模集成芯片生産時，現代決定将芯片生産作為實現其向電子産業多樣化的一個途徑。而随後金星社的加入，讓韓國最大的三家财團均參與進VLSI生産。

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三星發展半導體産業是一部濃縮的韓國半導體産業發展史。

前三星集團首席執行官李秉哲（Lee Byung Chul）在1983年2月決定對内存芯片生産進行大規模投資。這被認為是一個非常大膽的決定。因為當時韓國仍是一個簡單的裝配生産基地，1983年，整個半導體生産中晶圓加工的份額也僅為4.3％。

根據三星的官方策略解釋，三星電子公司當時遭遇了日本進口芯片的頻繁交付問題。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進入VLSI芯片業務。

三星制定了一個詳細的計劃，根據這個計劃，三星全部半導體産品中大約50％應該是DRAM。通過對精心挑選的DRAM領域關注，實現規模經濟和成本的競争力。

其後，SST國際公司在矽谷成立，成為三星的技術前哨。SST國際公司（與Tristar半導體公司同年更名）為三星的産品開發做出了重大貢獻，SST國際公司成功開發的産品會轉讓給韓國的母公司SST，用于批量生産，這對三星的技術開發起到了至關重要的作用。

1983年，三星在京畿道器興地區建成首個芯片廠，并開始了接下來的一系列動作。三星電子首先向當時遇到資金問題的美光(Micron)公司購買64K DRAM技術，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外，三星還取得了夏普“互補金屬氧化物半導體工藝”的許可協議。

在此過程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進式工藝創新，加上這些公司逆向工程方面的長期經驗，韓國的半導體産業進入了發展的快車道。

在選擇DRAM作為主要産品後不久，三星于1983年11月成功研發了64K DRAM。從技術上講，韓國半導體行業實現了從相對簡單的LSI技術到尖端的VLSI技術的重大飛躍。由此，1983年标志着韓國VLSI芯片時代的開始。不可否認的是，在最初階段，外國技術許可在三星産品開發中發揮了至關重要的作用。

随後，三星電子1984年成立了一家現代化的芯片工廠，用于批量生産64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美國。1985年成功開發了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術”的許可協議。

此後三星在DRAM上不斷投入，韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所【KIST，由韓國科學和技術部（MOST）管理】牽頭，聯合三星、LG、現代與韓國六所大學，“官産學”一起對4M DRAM進行技術攻關。該項目持續三年，研發費用達1.1億美元，韓國政府便承擔了57%。随後韓國政府還推動了16M / 64M DRAM的合作開發項目。

1983年至1987年間實施的“半導體工業振興計劃”中，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款，并激發了20億美元的私人投資，這大力促進了韓國半導體産業的發展。

在1987年，世界半導體市場還出現另一個機會，這源自美國和日本之間的半導體貿易沖突以及随後的政治調控。1985年以後，日本DRAM生産商市場份額的增加，被認為是犧牲了美國生産商的利益，美日之間的貿易沖突日益加劇。

日本首先宣布對外國半導體生産商實施半導體貿易協定（STA），美國政府則于1987年3月宣布了對含日本芯片的日本産品征收反傾銷稅等報複措施。

最終，日本承諾通過減少DRAM産量來提高芯片價格。但當時美國計算機行業需求增長，導緻全球市場上256K DRAM的嚴重短缺。這為韓國256K DRAM生産商提供了重要的“機會之窗”。

此後韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM芯片設計時，研發速度比日本晚6個月，随後三星又趁着日本經濟泡沫破裂，東芝、NEC等巨頭大幅降低半導體投資時機，加大投資，引進日本技術人員。并于1992年開發出世界第一個64M DRAM，超過日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

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賭徒：逆周期投資

超越日本成為世界第一大DRAM制造商隻是三星帶領韓國半導體産業邁向世界第一梯隊的第一步。

1995年之後，三星多次發起“反周期定律”價格戰，使得DRAM領域多數廠商走向破産，并逐漸形成DRAM領域隻有幾家壟斷市場的現狀。

集邦咨詢拓墣産業研究院研究經理林建宏對21世紀經濟報道記者表示，半導體産業每年需投入大量資本支出，用于設備與技術的開發。三星是綜合公司型态，即使存儲器市場低迷，仍可透過其他事業部門注入資金。這讓三星逐步成為半導體産業巨擘。

比如，三星于1984年推出64K DRAM時，全球半導體業步入一個低潮，内存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當時的生産成本是每片1.3美元，這意味着每賣出一片内存三星便虧1美元。

在低潮期，英特爾退出DRAM行業，NEC等日企大幅削減資本開支，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼，逆周期投資，繼續擴大産能，并開發更大容量的DRAM。

到1986年底,三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空。但轉機卻瞬間來到，1987年，日美半導體協議的簽署使得DRAM内存價格回升，三星也為全球半導體市場的需求補缺，開始盈利，從逆勢中挺了過去。

在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼時日立、NEC、三菱的内存部門不堪重負，被母公司剝離，加上東芝宣布自2002年7月起不再生産通用DRAM，日本DRAM僅剩下爾必達一家。

再如，2007年初，因全球DRAM需求過剩，疊加2008年金融危機，DRAM顆粒價格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻将2007年公司總利潤118%用于DRAM擴産，使得DRAM價格接連跌破現金成本和材料成本。

在這樣的攻勢下，德國廠商奇夢達于2009年初宣布破産，日本廠商爾必達于2012年初宣布破産，三星市占率進一步提升，全球DRAM領域巨頭隻剩下三星、海力士和美光。

這場價格戰的影響仍在持續，DRAM從2016年下半年到2018年一季度，一直處于穩定缺貨漲價期中，在此過程中，三星芯片業務銷售額達690億美元，成為全球最大的芯片制造商。

中國半導體投資聯盟秘書長王豔輝在5月3日接受21世紀經濟報道記者采訪時表示，在品牌發展不順的時候，三星等韓國的企業并未想到要轉去做代工，而是繼續投入，這是韓國能夠出現三星、海力士等全球領先芯片品牌的原因。

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如何保持第一梯隊優勢

王豔輝指出，韓國的半導體産業是從産業轉移開端，在政府主導下，發展出自有品牌。

在韓國發展半導體産業的過程中，韓國政府對于産業的支持力度非常強，研發時大力投入，産出後進行保護。

從1990年開始，韓國半導體産業投資興起。從研發投入來看，1980年時半導體領域研發投入約為850萬美元，到1994年時為9億美元。專利技術也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。

1994年，韓國推出了《半導體芯片保護法》。此後，韓國政府還指定芯片産業及技術為影響國家競争力的核心技術，緻力于高度保障技術及産權。

龐大的半導體産業也發展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業、半導體設備企業和半導體材料企業層層分工，通過外包、代工的方式構建出的龐大半導體産業鍊，形成了龍仁、化成、利川等等半導體産業城市群，支撐着韓國的半導體産業鍊。

在韓國的半導體産業進入全球半導體産業的第一梯隊後，韓國仍希望保持其自身的優勢，不僅通過“BK21”及“BK21 ”等計劃對大學、專業或研究所進行精準、專項支援。還在2016年時推出半導體希望基金，投資于半導體相關企業，旨在聚焦新技術的開發，尤其是儲存新技術方面。

這一系列的政策也基本延續“政府 大财團”的産業政策，鼓勵企業及大學間的結合，為芯片産業培養人才，以維持韓國在半導體産業上的優勢。

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