很多小夥伴都知道在挑選内存的時候不光要看頻率，還要看時序，或者叫延遲。也就是經常标注在内存表面，在測試軟件中也能看到的那些中間的帶短線連接的兩位數。不過要問它們到底具體代表什麼意思，相信很多小夥伴就隻能搖頭了。那咱們今天就來說一說它們的具體含義吧。

時序的意義非常簡單，因為訪問内存數據需要幾個動作，這些數字就表示各個動作的延遲，或者說反應時間。其數字表示的是經過幾個時鐘周期，比如3000MHz的内存，一個22的延遲就表示需要22/3000M秒（7.3納秒）。也許3600MHz的同一個動作延遲是24，那麼它就需要24/3600M秒（6.6納秒），後者看起來“延遲”大，但實際上比前者的動作還快一些。

那麼，這些時序具體是什麼動作呢？我們最常見的時序主要是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：

CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數；

tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址傳輸到列地址的延遲時間；

tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址選通脈沖預充電時間；

tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間。

這裡要注意内存的“行”與“列”的概念，它就是一種定位方式，用來幫助确定内存中的模塊，對其中的數據進行讀寫。我們可以把内存想象成一個網格，每個方格内都存儲着不同的數據。CPU需要什麼數據，就向内存發來指令，比如想要C4位置的數據。

接下來内存就要先确定數據具體在哪一行，所以時序的第二個參數tRCD就是代表這個時間，意思就是内存控制器接收到行的指令後，需要等待多長時間才能訪問這一行。僅靠行指令内存并不能哪一個數據才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一個估值，而且是最大值，也就是找到“最裡面”的數據需要多久。因此小幅改動這個值并不會影響内存的性能表現。

内存确定了行之後，要想找出數據，還得确定列。那麼時序的第一個數字，也就是CL（CAS），表示内存确定了行數之後，還得等待多長時間才能訪問具體列數的時間（時間周期）。确定了行數和列數之後，就能準确找到目标數據，所以CL是一個準确的值，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數，任何改動都會影響内存性能的發揮。

内存時序的第三個參數tRP，就是如果我們找到這個數據後，根據CPU指令去尋找下一個數據，再确定另外一行所需要等待的時間。

第四個參數tRAS則可以簡單理解成是内存寫入或者讀取數據的總時間，所以一般接近于前兩個參數，既CL和tRCD的和。

所以在保障穩定性的前提下，同頻率内存時序越低越好。那麼，時序對内存性能影響有多大呢？我們來看看内存廠商自家的測試吧。

可以看到，内存時序的降低确實可以提升内存速度，不過主要變化還是在響應時間方面，而不是大家更關注的帶寬。要注意的是，廠商擁有更好的樣品和平台，測試的時序修改是比較“猛烈”的，小夥伴們隻能在消費級主闆上超頻，實際上做到的修改幅度大約隻相當于其中某兩個相鄰例子，很難重現從例1到例3這樣的大幅修改，更不要說從例1到例4了，大家實際操作的時候千萬不要貪多。

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