近日看到一則新聞，中芯國際擊敗台積電，赢得華為海思14nm芯片代工大單。看到這則新聞時，當然是心情澎湃。但是看到評論說：“别人都是做7nm，我們做14的，比别人多一倍，厲害！”，這我就不淡定了，高興之餘，一些基本的概念還是要知道的，要不然太嘩衆取寵了。

14nm真的比7nm厲害嗎？14nm又是什麼意思？我們先從芯片廠商說起。

芯片廠商大緻分為三類：IDM、Fabless、Foundry。

IDM（集成器件制造商）指擁有自己的晶圓廠，集芯片設計、制造、封裝、測試、投向消費者市場五個環節的廠商，一般還擁有下遊整機生産，比如 Intel、IBM、三星等。

Fabless（無廠半導體公司）指有能力設計芯片架構，但本身無廠，需要找代工廠代為生産的廠商，比較知名的是 高通、蘋果和華為麒麟。

Foundry（代工廠）指擁有生産工藝技術，代工生産别家設計的芯片的廠商。比如台積電、三星等，三星相比台積電，它即研發生産獵戶座芯片，同時還代工生産蘋果、高通的訂單。而台積電無自家芯片，主要接單替蘋果和華為代工生産。

那麼介紹完這些之後，到底14nm代表什麼意思？nm就是單位納米，14nm其實描述的是制程工藝。一款芯片制程工藝的具體數值是手機性能關鍵的指标。制程工藝的每一次提升，帶來的都是性能的增強和功耗的降低，而每一款旗艦手機的發布，常常與芯片性能的突破離不開關系。14nm放在今天來說是比較落後的技術了，早在3年前三星就研發出了10nm制程工藝，10nm工藝相比于14nm，芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龍835芯片就是基于三星10nm制造工藝打造的，由4核升級成8核，體積也更小了。

那麼這個10nm是怎麼算出來的呢？這得從芯片的組成單位晶體管說起。

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如上圖，晶體管結構中，電流從Source（源極）流入Drain（漏級），Gate（栅極）相當于閘門，主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗，而栅極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現出來就是手機常見的發熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而栅極的最小寬度（栅長），就是XXnm工藝中的數值。對于芯片制造商而言，主要就要不斷升級技術，力求栅極寬度越窄越好。但當晶體管的尺寸縮小到一定程度（業内認為小于 10nm）時會産生量子效應，這時晶體管的特性将很難控制，芯片的生産難度就會成倍增長。

所以14nm并不是比7nm牛逼！依據摩爾定律的預測，芯片還會變的更小，當然也要結合市場進行研發。其實我們在芯片領域的差距還是有點大的，希望我們國産芯片廠商撸起袖子加油幹，早日擁有屬于我們自己的“中國強芯”。

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