IT之家 6 月 5 日消息 據媒體 JCNnewswire 報道,華虹半導體近日宣布,其 90nm BCD 工藝在華虹無錫 12 英寸生産線已實現規模量産,該工藝具備性能高、核心面積較小等優勢。
華虹半導體表示,其 90nm BCD 工藝擁有更佳的電性參數,并且得益于 12 英寸制程的穩定性以及良率優異,為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競争力的制造方案。
華虹半導體執行副總裁範恒表示,“智能化硬件種類與應用場景不斷增多,對電源管理芯片的需求持續攀升,對電源管理芯片的性能要求也在不斷提高。”華虹半導體的 90nm BCD 工藝憑借高性能指标及較小的芯片面積等優質特色,受到衆多客戶青睐。
IT之家了解到,BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術是一種單片集成工藝技術,能夠在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件,1985 年由意法半導體率先研制成功。随着集成電路工藝的進一步發展,BCD 工藝已經成為 PIC 的主流制造技術。
華虹半導體是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業,專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模拟及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝平台。
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