半導體常見氣體的用途

1、矽烷（SiH4）：有毒。矽烷在半導體工業中主要用于制作高純多晶矽、通過氣相澱積制作二氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、多晶矽隔離層、多晶矽歐姆接觸層和異質或同質矽外延生長原料、以及離子注入源和激光介質等，還可用于制作太陽能電池、光導纖維和光電傳感器等。

2、鍺烷（GeH4）：劇毒。金屬鍺是一種良好的半導體材料，鍺烷在電子工業中主要用于化學氣相澱積，形成各種不同的矽鍺合金用于電子元器件的制造。 3、磷烷（PH3）：劇毒。主要用于矽烷外延的摻雜劑，磷擴散的雜質源。同時也用于多晶矽化學氣相澱積、外延GaP材料、離子注入工藝、化合物半導體的MOCVD工藝、磷矽玻璃（PSG）鈍化膜制備等工藝中。

4、砷烷（AsH3）：劇毒。主要用于外延和離子注入工藝中的n型摻雜劑。

5、氫化銻（SbH3）：劇毒。用作制造n型矽半導體時的氣相摻雜劑。

6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的劇毒氣體。硼烷是氣态雜質源、離子注入和硼摻雜氧化擴散的摻雜劑，它也曾作為高能燃料用于火箭和導彈的燃料。

7、三氟化硼（BF3）：有毒，極強刺激性。主要用作P型摻雜劑、離子注入源和等離子刻蝕氣體。

8、三氟化氮（NF3）：毒性較強。主要用于化學氣相澱積（CVD）裝置的清洗。三氟化氮可以單獨或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于矽化合物MoSi2的蝕刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蝕刻，也用于NbSi2的蝕刻。

9、三氟化磷（PF3）：毒性極強。作為氣态磷離子注入源。

10、四氟化矽（SiF4）：遇水生成腐蝕性極強的氟矽酸。主要用于氮化矽（Si3N4）和矽化钽（TaSi2）的等離子蝕刻、發光二極管P型摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴散的矽源和光導纖維用高純石英玻璃的原料。

11、五氟化磷（PF5）：在潮濕的空氣中産生有毒的氟化氫煙霧。用作氣态磷離子注入源。

12、四氟化碳（CF4）：作為等離子蝕刻工藝中常用的工作氣體，是二氧化矽、氮化矽的等離子蝕刻劑。

13、六氟乙烷（C2H6）：在等離子工藝中作為二氧化矽和磷矽玻璃的幹蝕氣。

14、全氟丙烷（C3F8）：在等離子蝕刻工藝中，作為二氧化矽膜、磷矽玻璃膜的蝕刻氣體。

半導體工業常用的混合氣體

1、外延（生長）混合氣：在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相澱積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的矽外延氣體有二氯二氫矽（DCS）、四氯化矽（SiCl4）和矽烷等。主要用于外延矽澱積、氧化矽膜澱積、氮化矽膜澱積，太陽能電池和其它光感受器的非晶矽膜澱積等。外延是一種單晶材料澱積并生長在襯底表面上的過程。

2、化學氣相澱積（CVD）用混合氣：CVD是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應澱積某種單質和化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相澱積（CVD）氣體也不同。

3、摻雜混合氣：在半導體器件和集成電路制造中，進口電子氣體加微信号bluceren咨詢了解。将某些雜質摻入半導體材料内，使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将摻雜源與運載氣體（如氩氣和氮氣）在源櫃中混合，混合後氣流連續注入擴散爐内并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與矽反應生成摻雜金屬而徙動進入矽。

4、蝕刻混合氣：蝕刻就是将基片上無光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化矽膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學蝕刻和幹法化學蝕刻。幹法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

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