2021年是DDR内存技術升級換代的快速發展階段，自2020年以來，5G、AI、汽車、電競市場需求的居高不下，加速推動了DDR産品疊代以及技術升級。2020年7月中旬JEDEC固态存儲協會正式發布DDR5 SDRAM内存标準規範後，DDR5新技術應用受到業内的關注以及專業領域的探索。

江波龍電子（以下簡稱“Longsys”）緊跟存儲技術發展前沿，為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來産品技術發展的期望，進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性，與3月16日正式發布Longsys DDR5内存模組産品（ES1）。此外，Longsys旗下高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也将為終端用戶實際應用落地提供強有力的支持。

DDR5内存最高速率可達6400Mbps

是DDR4的兩倍

此次DDR5的産品發布，涉及兩款全新架構産品原型，分别是1Rank x8和2Rank x8标準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

全方位數據測試

性能穩定突出

Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累，在DDR5新一代産品上率先開展測試技術投入，此次測試特别選取了部分測試數據首次面向公衆開放。其中，展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發闆，搭配Longsys DDR5 32GB内存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統，分别通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

（通過BIOS了解到DDR5新架構采用了兩個完全獨立的32位通道）

① 魯大師測試數據

首先呈現的是硬件配置，内存識别為Longsys ID。

通過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB 的跑分高達19萬分有餘。

② AIDA64測試數據

通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

為了更加直觀地體現性能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據數據顯示，Longsys DDR5在性能上實現了跨越式提升。

核心指标揭秘

Longsys DDR5新技術強大之處

糾錯能力增加

在優化DDR5 DRAM内核運算能力上，Longsys DDR5增加内置糾錯碼（ECC），全面實現數據糾錯能力，進一步提高數據完整性，同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5内存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍，信号能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發性，并使系統中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能，增加CA、CS類信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存進一步減少了信号脈沖的反射幹擾效應，讓信号傳輸更加純淨。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5内存使Bank Group的數量增加了一倍，并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統的整體效率，允許更多頁面同時被打開。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根據标準還實現了一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀态以繼續正常操作。

Lexar雷克沙 DDR5 内存模組産品（ES1）

随着全球大量資本進入電競市場，促進了電競行業日漸普及與成熟，這也讓電競玩家對内存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗，亦能帶動電競行業的可持續性發展。非但如此，對于白領用戶，特别是設計師、剪輯師等對設備性能有剛需的職業，Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率，将更多時間留給創造性工作。

盡管Lexar雷克沙内存産品線起步較晚，但能夠在技術創新的征途上愈戰愈勇，源于Longsys專注存儲行業20餘年的技術底蘊，以及打造高品質存儲産品的決心。截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數達到838個，其中境外專利申請178項；已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項；軟件著作權65項。在緊握自主創新能力的同時，注重對知識産權的保護。

未來，Lexar雷克沙内存産品線仍将精益求精，持續提供更多的DDR5産品規格和技術服務，助力終端用戶投入DDR5到更多的應用場景中，為存儲生态領域增添色彩。

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