肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸,就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。肖特基勢壘相較于PN界面最大的區别在于具有較低的界面電壓,以及在金屬端具有相當薄的空乏區寬度。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導體的能隙,以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉,以确保不會在需要歐姆接觸的地方意外地産生肖特基勢壘。當半導體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結的耗盡層寬度相一緻。
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