關于CMOS工藝的介紹:
1、概況:是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的,表示“互補”,即将NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一矽襯底上,制作CMOS集成電路;
2、優勢:具有功耗低、速度快、抗幹擾能力強、集成度高等優點,目前已成為當前大規模集成電路的主流工藝技術;
3、工藝:電路中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管,要将兩種晶體管都做在同一個矽襯底上,就需要在矽襯底上制作一塊反型區域,該區域被稱為“阱”,N阱CMOS工藝由于工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優,從而獲得廣泛的應用。
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