所謂霍爾效應,是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時,産生橫向電位差的物理現象。
金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。
金屬不宜做霍爾元件的原因:
當電流通過金屬箔片時,若在垂直于電流的方向施加磁場,則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體和鐵磁金屬,霍爾系數各不一樣,由于半導體的霍爾系數比金屬高出很多,靈敏度KH值高,故半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯,而鐵磁金屬在居裡溫度以下才會呈現極強的霍爾效應。
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