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三星m.2固态硬盤哪個系列最強

科技 更新时间:2025-04-29 10:59:16

IT之家訊 8月12日消息,在美國閃存峰會(FMC)上,三星宣布旗下3D V-NAND技術再獲突破,堆疊層數從之前的最多32層發展到了48層,在同樣的芯片面積下,容量最多可以增長兩倍,而功耗降低了30%。

三星m.2固态硬盤哪個系列最強(三星3DV-NAND技術再增強)1

三星的V-NAND技術放棄了傳統的浮栅極MOSFET,改用自家的電荷撷取閃存(Charge Trap Flash,簡稱CTF)設計,每個單元更小,因為電荷儲存在絕緣層而非導體上,理論上單元在不傳輸數據的時候可以達到0消耗,并且,V-NAND的體積更小、可靠性更高。三星V-NAND閃存的擦寫次數可以達到35000次,而目前MLC閃存的擦寫次數普遍在3000次左右,這也就是為什麼三星表示V-NAND的可靠性提高了2-10倍左右的原因。

作為三星的第三代V-NAND技術,每片芯片包含了8530萬個單元,每個單元能夠存儲3bit的信息,換句話說,采用了第三代V-NAND技術的SSD固态硬盤單個芯片能達到256GB的容量,也就是一塊SSD硬盤能達到2TB容量。更大容量的NAND有着更少的幹擾,編程時間會更短,這意味着性能會提高。此外,更大容量的NAND的讀寫不需要那麼多次的重試,因此總功耗也會更低。

據悉,三星最新的V-NAND硬盤将首先供應企業用戶,并在2016年第1或第2季度投入消費級産品的生産。

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