Ann B. Kelleher資料圖

多年來，英特爾一直因為芯片制造工藝大幅落後于競争對手廣受質疑嘲諷，作為芯片制造廠商，其工藝落後于三星和台積電，作為處理器廠商，其處理器制程落後于老競争對手AMD。

現在AMD的Ryzen 7000系列處理器已經是基于5納米工藝制造的了，而英特爾的13代酷睿仍然是基于10納米（官方的叫法是“Intel7”工藝），工藝上已經落後兩代以上了，處境确實很尴尬。在這種背景下，業界和廣大數碼愛好者都非常關心英特爾未來在提升芯片制程方面的具體規劃。

近日，在國際電子元件會議（IEDM）大會上，英特爾技術開發總經理Ann B. Kelleher（圖一）發言分享了該公司未來的芯片制造和設計路線圖，事實上，這已經不是英特爾第一次公布類似的規劃了，但這是最新的一次。

Ann B. Kelleher表示，從現在到2025年，英特爾将逐步推進落實Intel 7（10納米）、Intel 4（7納米）、Intel 3（3納米）、Intel 20A（2納米，又稱20埃）和Intel 18A（1.8納米，18埃）工藝。

據悉，目前Intel 4工藝已經準備就緒，Intel 3工藝也将于 2023年下半年推出，明年英特爾将發布代号為Meteor Lake的第14代酷睿，将内置多個小芯片，每個小芯片使用不同的工藝技術制造。

第14代酷睿将包含四個“小芯片”（英特爾官方的稱呼是“Tile”，AMD官方的稱呼是“chiplets”），分别是計算小芯片（Compute Tile）、圖形小芯片（GFX Tile）、IO小芯片（IO Tile）和SOC小芯片（SOC Tile） ，請參閱圖三。

已知14代酷睿計算小芯片（CPU 内核）将使用英特爾Intel 4工藝制造，圖形小芯片可能使用台積電的N3或N5工藝制造，這些小芯片使用英特爾的Foveros 3D技術進行互連，類似于業界常說的“堆疊”，請參閱圖四和圖五。

Foveros是一種在多個小芯片之間提供高速通信的技術，可将多個不同類型的小芯片連接堆疊在一起，包括CPU、GPU 和 AI小芯片等等，可提供與單個大型處理器幾乎相同的性能，這是未來芯片廠商設計思路的大趨勢。

到了2023年下半年，英特爾将開始逐步過渡升級至Intel 3工藝，将首先用于制造代号為Granite Rapids和Sierra Forest企業級數據中心處理器，Sierra Forest将開始内置節能内核，可與其它具有多内核的各種基于Arm架構的處理器進行競争。

到了2024年上半年，英特爾計劃推進Intel 20A工藝，未來将用于制造代号為Arrow Lake的第15代酷睿處理器。如果計劃順利完成，英特爾的20A将是業界首個商用的2nm級節點工藝，屆時将足以與台積電的第三代3納米級（N3S，N3P）工藝競争，将一舉扭轉落後不利的局面。

到了2025年下半年，英特爾将繼續推進Intel 18A工藝，也就是1.8納米工藝，有朋友可能會覺得這非常遙遠，還處于早期的PPT階段，事實并非如此。據悉，目前英特爾基于 Intel 20A和Intel 18A工藝的早期測試芯片已經成功流片。

當然，這隻是英特爾方面的主觀規劃，至于最終能不能按部就班地落實，從英特爾以往糟糕的工藝提升記錄來看，确實不那麼讓人放心。到底能否如期落實，2023年其14代酷睿處理器能否順利用上Intel 4工藝，最終的實際性能和功耗表現如何，将是一項非常關鍵的評判指标。

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