RAM内存根據組成元件的不同，可以分為以下18種類型：

1、DRAM（Dynamic RAM，動态随機存取存儲器）

這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM将每個内存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容器的充放電來做儲存動作，但因電容器本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丢失。存取時間和放電時間一緻，為2～4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機内的主存儲器。

2、SRAM（Static RAM，靜态随機存取存儲器）

靜态，指的是内存裡面的數據可以長駐其中而不需要随時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，從而它可以比一般的動态随機處理内存的速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

3、VRAM（Video RAM，視頻内存）

VRAM的主要功能是将顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔。它采用雙數據口設計，其中一個數據口是并行式的數據輸出/輸入口，另一個是串行式的數據輸出口。多用于高級顯卡中的高檔内存。

4、FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動态随機存取存儲器）

改良版的DRAM，大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據，而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行内，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址。由于一般的程序和數據在内存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM将記憶體内部隔成許多頁數（pages），從512B到數KB不等，在讀取一連續區域内的數據時，可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page内的資料，從而大大提高讀取速度。在1996年以前，486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

5、EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動态随機存取存儲器）

這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT數據時必須輸出行地址和列地址并使其穩定一段時間，然後才能讀/寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀/寫操作完成才能輸出，因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15％左右。它一般應用于中檔以下的Pentium主闆标準内存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到1996年後期，EDO DRAM開始執行。

6、BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動态随機存取存儲器）

這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都隻需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快，但支持BEDODRAM内存的主闆可謂少之又少，隻有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

7、MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動态随機存取存儲器）

MoSys公司提出的一種内存規格，其内部分成數個類别不同的小儲存庫（BANK），即由數個獨立的小單位矩陣構成，每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機闆用于L2高速緩存中。

8、WRAM（Window RAM，窗口随機存取存儲器）

韓國Samsung公司開發的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之處是它的控制線路有一二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式，因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用于專業繪圖工作上。

9、RDRAM（Rambus DRAM，高頻動态随機存取存儲器）

RDRAM是Rambus公司獨立設計完成的一種内存模式，速度一般可以達到500～530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該内存後内存控制器需要進行相當大的改變，因此一般應用于專業的圖形加速适配卡或者電視遊戲機的視頻内存中。

10、SDRAM（Synchronous DRAM，同步動态随機存取存儲器）

SDRAM是一種與CPU實現外頻Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模組，工作電壓為3.3V。所謂Clock同步是指内存能夠與CPU同步存取資料，從而可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，進而可提升計算機的性能和效率。

11、SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖随機存取存儲器）

SGRAM是SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32b為基本存取單位，個别地取回或修改存取的資料，減少内存整體讀/寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。

12、SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜态随機存取存儲器）

一般的SRAM是非同步的，為了适應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，從而産生了SB SRAM。

13、PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜态随機存取存儲器）

CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的内存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

14、DDR SDRAM（Double Data Rate，二倍速率同步動态随機存取存儲器）

作為SDRAM的換代産品，DDR SDRAM具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop，延時鎖定回路）提供一個數據濾波信号。這是目前内存市場上的主流模式。

15、SL DRAM（Synchronize Link，同步鍊環動态随機存取存儲器）

SL DRAM是一種擴展型SDRAM結構内存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由于技術問題，投入使用的難度不小。

16、CD RAM（CACHED DRAM，同步緩存動态随機存取存儲器）

CD RAM是三菱電氣公司首先研制的專利技術，它在DRAM芯片的外部插針和内部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，随着CPU時鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能産生的影響将會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用于補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

17、DDRII（Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動态随機存取存儲器）

DDRII是DDR原有的SLDRAM聯盟于1999年解散後将已有的研發成果與DDR整合之後的未來新标準。DDRII的詳細規格目前尚未确定。

18、DR DRAM（Direct Rambus DRAM）

DR DRAM是下一代的主流内存标準之一，由Rambus公司所設計發展出來，是将所有引腳都連接到一個共同的Bus，這樣不但可以減小控制器的體積，還可以增加資料傳送的效率。

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