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sic碳化矽是由什麼構成的

科技 更新时间:2024-12-01 19:49:15

碳化矽半導體屬于目前比較火熱的半導體類群,叫做第三代半導體。随着應用場景提出更高的要求,以碳化矽、氮化镓為代表的第三代半導體材料逐漸進入産業化加速放量階段。相較于前兩代材料,碳化矽具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優越性能,廣泛應用于制作高溫、高頻、大功率和 抗輻射電子器件。

sic碳化矽是由什麼構成的(碳化矽SiC:新一代半導體材料的應用場景)1

對于第三代半導體一個明顯的特征就是寬禁帶。第三代半導體材料禁帶寬度遠大于前兩代。第一代和第二代半導體都是窄帶隙半導體,而從第三代半導體開始,寬禁帶(帶隙大于 2.2eV)半導體材料開始被大量應用。

sic碳化矽是由什麼構成的(碳化矽SiC:新一代半導體材料的應用場景)2

SiC第三代半導體目前應用較為廣泛的一個領域就是電子電子器件或者叫做功率半導體器件。碳化矽作為第三代半導體的典型代表,具有 200 多種空間結構,不同的結構對應着不同的帶隙值,一般在 2.4eV-3.35eV 之間。SiC的大臨界電場、大帶隙、大的熱傳導率和大的電子飽和速度。這些特性使SiC替代Si來制造MOSFET器件時,可以提高載流子遷移率,減小溝道導通電阻,改善短溝道效應。碳化矽材料除寬禁帶之外,還具有高擊穿場強、高飽和漂移速度及高穩定性、大功率等優點。

SiC是一種應用前景廣泛、具有價值的材料,其應用的範圍在不斷地普及和深化。碳化矽器件應用場景廣闊,基于碳化矽材料的半導體器件可應用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機 械臂、飛行器等多個工業領域。

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