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由于對低功耗（LPDDR4/4X/5）、更高帶寬、更高密度和更高保留率的強烈需求，内存芯片設計是智能手機的主要關注點之一。如今，客戶對智能手機内存性能的需求與 PC 和移動數據存儲相同。由于這些原因，包括三星和蘋果在内的全球智能手機制造商已将具有更先進和尖端技術節點的存儲設備用于低功耗 DRAM 和 NAND 存儲組件。

衆所周知，DRAM供應商三星、美光、SK海力士都已經在市場上發布了D1z商用産品DDR4、LPDDR4X或LPDDR5。此外，美光 D1α 是 DRAM 上最先進的技術節點，也是單元設計中使用的第一個 15 納米以下技術。來到NAND存儲領域，商業産品有三星、铠俠、西部數據、SK海力士、美光、英特爾和長江存儲的112L、128L、144L和176L芯片。

談到中國智能手機品牌華為、榮耀、小米、OPPO 和 VIVO 是市場的大玩家。在智能手機上使用的低功耗移動DRAM組件方面，它們用了三大DRAM制造商制造的LPDDR4X或LPDDR5 DRAM芯片；三星、SK 海力士和美光（表 1）。

此外，他們使用了先進的 10 納米級 DRAM 節點，例如 D1y 和 D1z。例如，榮耀 X20 和 OPPO A54 手機有美光 D1z 和三星 D1z LPDDR4X。最先進的 LPDDR5 設備也用于最新的中國智能手機，例如，小米 Redmi K40 Pro 和 Vivo X70 手機具有 S-D1z LPDDR5 芯片和 LPDDR4X 三星芯片。

圖 1. 近期發布的中國智能手機的低功耗移動 DRAM 組件和芯片細節；

華為、榮耀、小米、OPPO、VIVO。

作為參考，我們看看蘋果 iPhone 和三星 Galaxy 手機，三星在 2021 年為 Galaxy 21 系列發布了 D1z 代的 LPDDR5 産品。蘋果 iPhone 13 系列使用 4GB 或 6GB LPDDR4X RAM是來自SK Hynix D1y，搭配 A15 5 核 GPU仿生芯片。三星剛剛發布了 S22、S22 和 S22 Ultra Galaxy 手機，其中闆載了三星 D1z 16Gb LPDDR5 芯片（K3LK7K70BM-BGCP 封裝标記）。

對于中國智能手機使用的NAND存儲組件，大多數情況下，他們使用主要NAND芯片制造商的92L/96L和128L TLC 3D NAND芯片。

去年年初，我們發現了一些 2D eMMC NAND 芯片，例如小米 Redmi 9A 手機，但是目前中國所有智能手機都具有 eMMC5.1 或 UFS 3.1 标準的 3D NAND 組件。近期發布的OPPO A54和部分榮耀手機采用eMMC 5.1，其他手機采用UFS 3.1規範。

作為參考， Apple iPhone在 2021 年的 iPhone 13、13Pro 和 13Pro Max 的 128GB、256GB 和 512GB 組件上使用铠俠的領先存儲。它們在每台設備中都配備了铠俠的 FXH8 112L 512Gb 芯片。三星在 2021 年為 S21/21 /S21 Ultra 搭配了 S-128L TLC NAND 設備，并在 2022 年為 S22 系列組裝了 S-128L TLC NAND 設備。

圖 2. 近期發布的中國智能手機的數據存儲組件和芯片細節；華為、榮耀、小米、OPPO、VIVO。

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