将兆聲與Rotagoni幹燥器相結合，為清潔和幹燥化學機械抛光晶片提供了一個極好的平台。在氧化物化學機械抛光的情況下，晶片從1100納米的厚度抛光到700納米，然後濕轉移到兆頻超聲波平台或洗滌器。然後用稀NH3清洗晶片，并在兆頻超聲波平台(1000級潔淨室)上用Rotagoni幹燥，或在洗滌器(1級潔淨室)上用旋轉幹燥器幹燥。顆粒計數表明，兆頻超聲波清洗和旋幹法的總體平均值較低，分布比擦洗和旋轉幹燥更緊密(圖6)。兆頻超聲波清洗對于去除地形特征的污染也非常有效。因此，化學機械抛光過程中的任何不一緻(凹陷、劃痕等)。可以被兆聲有效地清潔，不像擦洗。
圖6 在氧化物CMP後清洗的晶片上測量LSE > 0.20 m的lpd，以進行擦洗，随後進行旋轉幹燥和金手指幹燥，随後進行旋轉幹燥
對彎折和彎折叉形結構的電測量也驗證了兆頻超聲波清洗的質量，随後是旋轉振蕩器幹燥。當Rotagoni幹燥機結束清洗過程時，沒有觀察到電産量損失。
水印預防：
Rotagoni幹燥器的另一個特點是能夠幹燥圖案化的疏水和親水表面而沒有水痕。這不是脫水的情況。圖案化的矽和TEOS晶片經過高頻清洗後，用旋轉幹燥機或旋轉幹燥機進行漂洗和幹燥。對幹燥晶片的檢查顯示，旋轉幹燥的晶片表面有水痕，但旋轉幹燥的晶片表面沒有幹燥痕迹(圖8)。
圖8 暴露于氫氟酸後，旋轉幹燥的晶片表面出現幹燥痕迹
總結
非接觸、非破壞性的兆頻超聲波清洗與Rotagoni幹燥器相結合，是非常有效的晶圓清洗平台。化學機械抛光後清洗就是一個例子。在氧化物化學機械抛光晶片的情況下，平均顆粒計數低于擦洗清潔。顆粒去除在圖案化的後化學機械抛光中也是極好的銅晶片。銅經過清洗，沒有腐蝕。
Rotagoni幹燥器不限于顆粒去除應用。旋轉幹燥器也能在旋轉幹燥器上增強HF-last表面的幹燥。圖案化的親水性和疏水性表面由轉輪幹燥，沒有水痕。
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