SLC、MLC和TLC芯片。
1、SLC是單層式儲存 。SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓,然後透過源極,即可将所儲存的電荷消除,通過這樣的方式,便可儲存1個信息單元,這種技術能提供快速的程序編程與讀取,不過此技術受限于Silicon efficiency的問題,必須要由較先進的流程強化技術,才能向上提升SLC制程技術。
2、MLC是多層式儲存。英特爾在1997年9月最先開發成功MLC,其作用是将兩個單位的信息存入一個Floating Gate(閃存存儲單元中存放電荷的部分),然後利用不同電位(Level)的電荷,通過内存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級,每個單元儲存兩位數據,數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值,而MLC架構可以一次儲存4個以上的值,因此,MLC架構可以有比較好的儲存密度。
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