内存卡屬于閃存flash類型的産品。
閃存是以單晶體管作為二進制信号的存儲單元,其結構與普通的半導體晶體管非常類似,區别在于閃存的晶體管加入了“浮動栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”。浮動栅用于貯存電子,表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆,并通過電容與控制栅相耦合。當負電子在控制栅的作用下被注入到浮動栅中時,NAND單晶體管的存儲狀态就由1變成0;而當負電子從浮動栅中移走後,存儲狀态就由0變成1。包覆在浮動栅表面的絕緣體的作用就是将内部的電子“困住”,達到保存數據的目的。
如果要寫入數據,就必須将浮動栅中的負電子全部移走,令目标存儲區域都處于1狀态,隻有遇到數據0時才發生寫入動作,但這個過程需要耗費較長的時間,導緻不管是NAND還是NOR型閃存,其寫入速度總是慢于數據讀取的速度。
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