高通骁龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10納米工藝相比14納米将使得芯片速度快百分之二十七,效率提升百分之四十,高通骁龍835芯片面積将變得更小。
2016年10月,三星宣布率先在業界實現了10納米FinFET工藝的量産。與其上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上,同時實現性能提升百分之二十七或高達百分之四十的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝,骁龍835處理器将具有更小的芯片尺寸,讓OEM廠商能夠在即将發布的産品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合,預計将會提升電池續航。
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