FET:Field Effect Transistor,場效應晶體管,簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,栅極,漏極,源極,它的特點是栅極的内阻極高,采用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動态範圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競争者。
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