1、取3-5克微晶高分子納米修複劑與微晶石表面上,注意用量不要太大,每平方米5克左右。
2、将納米抛光墊壓于抛光設備下,開動機器,20寸抛光機則用100轉進行研磨,手持抛光機要開動2000轉左右研磨2-3分鐘,待有阻力感覺20寸機則調速到250轉進行快速抛磨至幹,手持抛光機則加速至5000轉減輕壓力進行抛磨,抛幹抛亮,檢查裂痕是否存在,如果還有就再重複幾次直至劃痕消除,最後收盡周圍留下的眩光痕迹。
3、眩光痕迹的處理方法,每個研磨抛光過程後在周邊都會留下一圈一圈的打磨痕迹,這種情況下用幹淨的墊子噴點清水抛一下就沒了,但必須随磨随抛,不要等完全幹透了就抛不下來了。
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