芯片，一直是國人的一塊心病，這主要歸功于漂亮國動不動就揮動所謂的制裁大棒，對不聽命于他的國家實施制裁。不過，也要歸功于他們的制裁，才使得我國的科學家和企業家們清醒地意識到——造不如買是行不通的，任何東西隻有掌握在自己的手裡才是穩妥的，否則，企業和國家的發展會随時成為别人砧闆上的肉，别人想什麼時候吃就什麼時候吃。

而在高科技制裁方面，芯片無疑是他們常用的制裁手段，不過，從最近的制裁來看，對于我國的高新技術而言，不但沒有壓垮中國的高新技術，反而激發了中國科學技術的韌性，全民造芯從偶然變成了必然，國家也在大力扶持這方面的行業。

在芯片研究制造方面，企業、科研機構以及高校強強聯合，在芯片方面實現了一個又一個的突破，28nm的光刻機已經能夠在國内實現自産，各種芯片也相繼實現了突破。今天帶給大家的，也是關于芯片方面的突破——我國首款PbS量子點短駁紅外成像芯片問世。

據華中科技大學官網消息：華中科技大學和海思合作研制出了我國第一款PbS量子點短波紅外成像芯片。以下數據來自于華中科技大學官網，略有增删，如有侵權，請聯系删除：

武漢光電國家研究中，心、光電信息學院唐江教授團隊與海思光電子有限公司合作，制備出一種适配矽基讀出電路（ROIC）的頂入射結構的光電二極管，實現了30萬像素、性能可媲美商用铟镓砷（InGaAs）的短波紅外芯片，為國内首款硫化鉛膠體量子點（PbS CQD）紅外成像芯片。6月16日，相關成果以“A near-infrared colloidal quantum dot imager with monolithically integrated readout circuitry”為題發表于最新一期“Nature Electronics”期刊。

紅外光電二極管與矽基 ROIC 的單片集成工藝簡單、成本可控，且有望極大地提升紅外成像芯片分辨率。不同于高溫外延生長的紅外材料，PbS CQD采用低溫溶液法加工，襯底兼容性好，可與矽基 ROIC 單片集成。但現有PbS CQD器件結構不能充分适配矽基ROIC，其耗盡區遠離入射光，導緻器件外量子效率低。國外STmicroelectronics、IMEC等相繼報道基于PbS CQD和矽基ROIC單片集成的紅外成像芯片，其像素尺寸遠小于InGaAs芯片，在分辨率、成像波段方面有着顯著優勢

唐江教授團隊根據PbS CQD的特性，設計出了适配矽基ROIC的頂入射結構光電二極管，通過模拟分析和實驗優化器件結構，使耗盡區靠近入射光，實現光生載流子的有效分離與收集，從而提高器件外量子效率。

該成像芯片的制備，其分辨率為640×512，空間分辨率為40 lp/mm（MTF50），具有可與商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果，并且其外量子效率高于國外報道的PbS CQD成像芯片。另外，文中展示了PbS CQD紅外成像芯片在水果檢測、溶劑識别、靜脈成像等方面的應用，證明了其在廣泛的應用潛力。

衆所周知，在華為的高層看來，華科是華為的娘家，而華為是華科的東家，兩者雖然所處行業不同，但是卻能夠有機地結合在一起。

海思光電子有限公司：是一個主要從事信息技術領域光電子技術與産品的研究、開發、制造、銷售及售後服務；相關光電子産品的代理；信息技術及光通信領域的産品和配套件的進出口業務（不含國家禁止或限制進出口的貨物或技術），是華為的子公司，與華中科技大學合作也是再正常不過！而芯片，是華為現階段最需要解決的問題，芯片方面圖片了，華為的手機業務才能夠起死回生，再次與國外的手機行業一較高下。

而華科與海思合作研制出的芯片，必然對于華為手機行業的發展有着重大的作用，如此一來，我們反擊國外的高科技行業的制裁，又多了一大有效重器。

“我勸天公重抖擻，不拘一格降人才！”科學技術已然成為第一生産力的今天，國與國之間的競争是高科技的競争，而高科技離不開相關的人才，因此，國與國之間的競争歸根結底是高素質人才的競争。

作為我國的人才培養重地，高校擔負着我國人才培養的重任，因此，一所高校在人才培養方面的成就如何，在平時的國家重大科研項目以及所培養的人才在各行各眼所做出的貢獻可以略見一斑。而在這方面，華中科技大學無疑是我國高校的翹楚，無論是上天還是下海，亦或是國家緊要的科學技術研究，都能夠看到華科畢業生的身影。

大家對于華中科技大學在為國造才方面的貢獻，有什麼看法？歡迎留言讨論，感謝您的閱讀！

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