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二氧化矽抛光試樣

生活 更新时间:2024-12-13 16:37:27

化學機械抛光液研究初期主要使用單一磨料,如氧化鋁、二氧化矽、氧化锆等。其中二氧化矽具有良好的穩定性和分散性,不會引入金屬陽離子污染,其硬度與單質矽接近,對基底材料造成的刮傷劃痕較少,适合用于軟金屬,矽等材料的抛光,是應用最廣泛的抛光液,但其材料去除率較低。

二氧化矽抛光試樣(600字迅速掌握氣相二氧化矽在化學機械抛光中的優勢)1

由于氣相法二氧化矽的技術性能指标,其高純度是沉澱法二氧化矽難以達到的,因此目前大多選用氣相二氧化矽制備CMP漿料。由于氣相二氧化矽表面具有一定數量的矽羟基,它們可與水形成氫鍵作用,産生嚴重的增稠作用,如果不對氣相二氧化矽進行表面處理很難制備高濃度的漿料。因此在使用過程中需要對其進行适當的表面處理,降低其增稠度,提高濃度與分散穩定性。

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CMP漿料中納米二氧化矽的粒徑大小、二氧化矽濃度、抛光液的PH、粘度等對其性能影響比較大,研磨粒子的粒徑和濃度過小,研磨速率慢,如果過大,則可能産生劃痕,應選擇粒徑為80nm左右的二氧化矽;漿料的pH值則影響化學腐蝕速率,腐蝕速率太快容易産生霧斑、橘皮等,腐蝕慢容易産生劃痕等,需要研磨速率與腐蝕效率相匹配,一般pH值保持在10-12。此外研磨工藝條件(壓力、速度等)也是一個重要的影響因素。

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随着CMP技術及納米粉體制備技術的發展,CMP技術的應用領域也越來越廣,已知半導體工業中的層間介質、絕緣體、導體、鑲嵌金屬、多晶矽、矽氧化物溝道的平面化拓展薄膜存貯磁盤、微電子機械系統、陶瓷、磁頭、機械磨具、精密閥門、光學玻璃、金屬材料等表面加工領域。目前CMP領域已經成為氣相二氧化矽消費的一大增長點。

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