影響功率器件性能的因素?電力電子技術的核心是電能的變換與控制，常見的有逆變（即直流轉交流）、整流（即交流轉直流）、變頻、變相等在工程中拓展開來，應用領域非常廣泛但千變萬化離不開其核心——功率電子器件，下面我們就來說一說關于影響功率器件性能的因素?我們一起去了解并探讨一下這個問題吧!

影響功率器件性能的因素

電力電子技術的核心是電能的變換與控制，常見的有逆變（即直流轉交流）、整流（即交流轉直流）、變頻、變相等。在工程中拓展開來，應用領域非常廣泛。但千變萬化離不開其核心——功率電子器件。

功率電子器件可分為不控器件、半控器件、全控器件。其用途及應用作以下簡明扼要的介紹。

1、不控器件

不能通過控制信号控制其通斷的電力電子器件。典型器件如二極管，主要應用于低頻整流電路。

2、半控器件

通過控制信号可以控制其導通而不能控制其關斷的電力電子器件。典型器件如晶閘管，又稱可控矽，廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電路中，應用場景多為低頻。

3、全控器件

通過控制信号既可控制導通，又可控制其關斷的電力電子器件。典型器件如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣栅雙極性晶體管），應用領域最廣，廣泛應用于工業、汽車、軌道牽引、家電等各個領域。

關于以上這幾種全控器件，其中GTO是晶閘管的派生器件，主要應用在兆瓦級以上的大功率場合。

GTR屬于電流控制功率器件，且電路符号和普通的三極管一緻。20世紀80年代以來在中小功率範圍内逐漸取代GTO。GTR特點鮮明，耐高壓、大電流、飽和壓降低是其主要優點，但是缺點也很明顯，如驅動電流較大、耐浪湧電流能力差、易受二次擊穿而損壞，驅動電流大直接決定其不适合高頻領域的應用。

MOSFET與GTR最為顯著的區别就是電場控制。其特性是輸入阻抗大、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高，那MOS是不是完美彌補了GTR的缺陷？能不能完全替代GTR呢？答案當然是不能。MOS典型參數是導通阻抗，直觀理解為耐壓做的越大，芯片越厚，導通電阻越大，電流能力就會降低，因此不能兼顧高壓和大電流就成了MOS的短闆。

接下來就要特别講講IGBT了。IGBT是以雙極型晶體管為主導元件,以MOS為驅動元件的達林頓結構。其特點是不僅損耗小、耐高壓、電流密度大、通态電壓低、安全工作區域寬、耐沖擊，而且開關頻率高、易并聯、所需驅動功率小、驅動電路簡單、輸入阻抗大、熱穩定性好。IGBT的應用領域正迅速擴大，逐步取代GTR、MOSFET的市場。

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