場效應管（Field-Effect Transistor）簡稱FET，是一種典型的電壓控制型半導體器件，具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩定性好、便于集成等特點，但容易被靜電擊穿。
場效應管有三隻引腳，分别為漏極（D）、源極（S）、栅極（G）。在電工電路圖中，場效應管以專用的圖形符号和電路标識進行體現。場效應管在電工電路圖中的标識通常分為兩部分，一部分是圖形符号，标識場效應管的類型，一部分是字母 數字，标識該場效應管在電路中的序号及型号等信息。
據圖可知，圖形符号體現出了場效應管的基本類型；引線由圖形符号兩端伸出，與電路圖中的電路線連通，構成電子線路；電路标識通常提供了場效應管的類别、名稱、序号以及場效應管型号等參數信息。
在實際應用中，場效應晶體管的類型多種多樣，相對應的圖形符号也有所區别，因此，了解不同類型的場效應晶體管的圖形符号，對識讀電工電路圖有重要意義。如表所示為常見場效應管的圖形符号以及外形。
結型場效應管是在一塊N型（或P型）半導體材料兩邊制作P型（或N型）區，從而形成PN結構成。
與中間半導體相連接的兩個電極稱為漏極Drain（用D表示）和源極Source （用S表示），而把兩側的半導體引岀的電極相連接在一起稱為栅極Gat （用G表示）。
結型場效應管是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄，改變溝道導電特性來控制漏極電流的。
絕緣栅型場效應管(MOS)由金屬、氧化物、半導體材料制成，通常簡稱為MOS場效應管。絕緣栅型場效應管是利用感應電荷的多少，改變溝道導電特性來控制漏極電流的。它與結型場效應管的外形相同，隻是型号标記不同。
MOS場效應管一般被用于音頻功率放大，開關電源、逆變器、電源轉換器、 鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路。
在識讀電路時，可根據場效應管的電路符号，識讀出電路中場效應管的類型，然後再通過電路符号旁的标識信息了解該場效應管的型号以及連接關系等輔助信息，這是完成識圖的第一步。如下圖所示為典型收音機高頻放大電路中場效應管的符号标識。
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”在電路中表示絕緣栅型N溝道場效應晶體管，“VT1”表示該絕緣栅型場效應管在電路中的名稱和序号，“2SK8439D”表示該絕緣栅型場效應管的型号。
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