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手機内存ram和rom

科技 更新时间:2024-11-28 11:45:11

就好像新款PC的主硬盤已經全面過渡到SSD一樣,如今智能手機的閃存也都經曆了一次較大的叠代,就是從eMMC閃存跨越到了UFS閃存。那麼,又有誰在影響UFS閃存的性能呢?

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RAM和ROM的區别

直到現在還有不少朋友搞不清RAM和ROM的差異,本文我們就再做次小科普。RAM代表手機内存(又稱“運存”),就好像PC上的内存條,隻是手機内存都是一顆單獨的芯片。ROM代表存儲空間(又稱“閃存”),類似PC上的硬盤,而手機上的ROM依舊是以一顆NAND閃存芯片的形态存在。

閃存标準

早期智能手機都内置eMMC閃存,它是在NAND閃存芯片的基礎上,額外集成了主控制器,并将二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片,從而減少了對PCB主闆的空間占用。eMMC的最新标準為eMMC 5.1,常見于千元以内的入門級手機市場,讀取速度最高隻有400MB/s左右。

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UFS是eMMC的進階版,它是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行(讀寫必須分開執行)的缺陷,可以實現全雙工運行,所以性能得以翻番。

UFS目前存在UFS2.0(讀取速度700MB/s)、UFS2.1(900MB/s)、UFS2.2(900MB/s)、UFS3.0(1700MB/s)和UFS3.1(1900MB/s)等标準,UFS2.x常見于中低端産品,UFS3.x則是高端手機的标配。

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閃存通道

和内存一樣,UFS閃存也存在單通道和雙通道之别,兩者讀寫性能相差30%~50%之間。好消息是,如今新款手機都已标配雙通道UFS,所以咱們隻要簡單了解一下即可。

Write Turbo技術

Write Turbo是UFS3.0時期引入的一項虛拟技術,很多品牌主打的閃存增強技術大多是基于它優化而來。我們都知道,現在手機閃存都是TLC介質的NAND芯片,它的優勢是可以在每個存儲單元中保存3bit,能以低成本實現更大的容量,但讀寫,特别是寫入速度遠不如SLC NAND。

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所謂的Write Turbo,其實就是虛拟SLC技術。它會将部分TLC閃存容量虛拟成SLC,當手機在寫入數據時,系統會優先将其寫入到虛拟的SLC空間,由于後者每個存儲單元隻需保存1bit數據,所以寫入速度會有大幅提升(讀取速度也有明顯提升)。

但是,如果一次寫入的數據容量超過了虛拟SLC容量,讀寫速度便會驟降至TLC的水平上。

各大手機廠商會在虛拟SLC的容量和調度規則上存在差異,比如有些廠商會選擇全盤虛拟SLC的方式,随着使用空間的逐漸增加,速度會逐漸下降。因此,都是内置UFS3.1 Write Turbo閃存的手機,它們之間的實際體驗可能也有高低之分。

最新量産的UFS2.2,本質上其實就是UFS2.1 Write Turbo,可以将持續寫入速度從250MB/s提升到500MB/s以上。

磁盤陣列存儲系統

除了使用Write Turbo虛拟SLC以外,黑鲨4 Pro和黑鲨4S系列還給我們帶來了一個全新的思路——磁盤陣列存儲系統。

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簡單來說,這款手機除了内置閃存芯片以外,還額外添加了一顆來自群聯的SSD芯片,并将二者組成了Raid 0陣列,如此讓手機的讀寫速度都有着50%以上的提升。

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RAMDISK磁盤加速器

黑鲨4 Pro和4S系列同時還主打一項名為RAMDISK磁盤加速器的功能。提起“RAMDISK”很多朋友應該非常熟悉,很早以前CFan曾多次報道過如何将電腦閑置内存使用虛拟成RAMDISK“内存盤”,保存其中的程序運行飛快,但每次關機内存盤都會被清空,下次開機後還需重新加載程序。

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電腦領域的RAMDISK内存虛拟硬盤軟件

黑鲨的RAMDISK磁盤加速器的原理和内存盤差不多,都是直接通過内存模拟閃存存儲空間,讓遊戲文件直接在内存中完成讀寫,遊戲的啟動、加載和運行速度更是大幅提升。需要注意的是,該功能僅限标配12GB或16GB内存的高配版本,8GB内存版則不支持RAMDISK技術。

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原因也很簡單,在當前的應用環境8GB内存都不嫌多,哪裡還有額外空間供你虛拟閃存?此外,同一時間僅有一款遊戲可以運行在基于RAMDISK技術的極速模式下,想切換其他遊戲時必須等待一定的時間讓極速模式挂載完成。

閃存内存合二為一

作為手機内部最占用PCB主闆空間的“大戶”,内存(包括隐藏在其下面的SoC)和閃存的體型都不小,如果能将這顆存儲芯片也和處理器内存摞在一起,不就可以更加節省主闆空間了嗎?2020年底,美光發布的uMCP5閃存技術就有望實現這個夢想。

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簡單來說,uMCP5是全球首次通過MCP多芯片封裝的方式,在單顆芯片内就完整集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND閃存芯片以及UFS 3.1控制器,它采用TFBGA封裝格式,最大可選12GB 256GB容量。其中,該産品LPDDR5内存的部分支持6400Mbps的數據傳輸率,UFS3.1閃存部分的編程/擦寫循環次數可達到5000次。

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總之,美光uMCP5的出現,可以進一步提升手機的存儲密度,節省内部空間、成本和功耗,而我們也期待這種“二合一”的存儲芯片可以早日在手機領域量産,并有機會用于筆記本等其他計算設備領域。

小結

作為影響手機性能輸出的“鐵三角”,閃存和内存的重要性不次于處理器,因此每次它們的技術革新,都會帶來切實的實際體驗提升。希望大家今後在選購手機時,可以将目光多多投向這兩個領域的優化和升級上。

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