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國産長鑫19nm内存

生活 更新时间:2024-08-01 06:20:04

在9月19日開幕的中國閃存技術峰會,合肥長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士發表了主題演講,指出合肥長鑫已将奇夢達的46nm内存工藝技術水平提升到了10nm級别

在這個名為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講中,平爾萱博士談到了内存技術的發展、應用以及面臨的技術挑戰等問題,其中也涉及到了長鑫的内存技術來源及改進。

長鑫的技術來源已經不是秘密,此前在GSA Memory存儲峰會上,長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講,提到了長鑫的DRAM内存技術來源,主要就是已破産的奇夢達公司,獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據,在此基礎上改進、研發自主産權的内存芯片,耗資超過25億美元。

奇夢達已經破産多年,他們的内存技術實際上停留在了前幾代的水平,平爾萱博士稱長鑫已經借助先進的設備将奇夢達46nm工藝水平的内存芯片推進到了10nm級别

不過公開報道中沒有說明平爾萱博士所說的10nm級别到底是什麼水平,理論上20nm之後的都可以叫做10nm級,但三星是在20nm、18nm之後發展了1Xnm、1Ynm、1Znm,從1Xnm工藝才開始稱作10nm級内存。

結合之前的報道,長鑫公司今年底會量産19nm工藝、8Gb核心的DDR4内存芯片,不知道這個内存是否就是平爾萱博士所說的10nm級内存。

不論是19nm還是其他工藝的内存,總體來說國内公司如果能在年底量産10nm級别的内存,起點還是非常高的,與國際先進水平的差距也就2-3年的樣子,這個水平相比其他芯片的差距就小太多了。

國産長鑫19nm内存(已将國産内存工藝從46nm提升到10nm級)1

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