今天給大家介紹一下mos管，mos管在電路中應用的非常廣泛，mos管的外形和三極管，可控矽，三端穩壓器，IGBT類似，所以大家有時會分不清什麼是三極管，什麼是可控矽，什麼是三端穩壓器，以及什麼是mos管和IGBT，下面我就來給大家詳細的介紹一下mos管

mos管也稱場效應管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在矽)，他們之間由一薄層二氧化矽分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(栅介質)。圖示中的器件有一個輕摻雜P型矽做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在 電介質 上産生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型矽負電位。這個電場把矽中底層的電子吸引到表面來，它同時把 空穴 排斥出表面。這個電場太弱了，所以 載流子 濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。

當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。随着GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，矽表層看上去就像N型矽。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的矽層叫做Channel。随着GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為 阈值電壓 Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于阈值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過阈值電壓時，channel就出現了。

MOS管的工作原理

mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模拟開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。

mos管

下圖中左邊是n溝道mos管的結構圖和電路符号，右邊是p溝道mos管的結構圖和電路符号

mos管的結構與符号

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