在普通玻璃的一個表面鍍上一層氧化铟錫的導電膜，就形成了LCD常用的氧化铟錫玻璃，通常簡稱為ITO玻璃。

基本結構

基闆：

常用的基闆厚度有1.1mm;0.7mm;0.5mm;0.5mm,0.4mm

根據材料的不同，通常分為鈉鈣玻璃和硼矽玻璃兩種。

鈉鈣型玻璃

優點：成本低

缺點：含有鈉、鉀等離子，易産生滲透，影響産品性能

硼矽型玻璃

優點：玻璃硬度高，透過率好

缺點：成本較高

鈉鈣型玻璃基本成分：

SiO2層：

SiO2層的作用：

主要是防止鈉鈣型基闆中的金屬離子擴散滲透到ITO層中，影響ITO層的導電能力。

SiO2層的膜厚：

切割磨邊的工藝流程：

磨邊類型及規格要求：

通常分為C型和R型兩種

倒角的形狀及公差：

抛光工藝流程：

用研磨料将玻璃表面磨平，使玻璃表面平整。對于STN型ITO玻璃是必須經過的一道生産流程。

鍍膜工藝流程：

鍍膜方法：

鍍膜的方法有：噴霧法；塗覆法；浸漬法；化學氣相沉積法；真空蒸發法；測射法，但目前工業化最有效的方法是磁控測射法。

磁控測射法：

在高真空反應室中充入一定比例的02和Ar的混合氣體，在直流高壓下，Ar被電離，在電場作用下轟擊靶材，使铟和錫以原子和離子形式濺射出來，沉積在基闆玻璃表面，同時被氧化，形成氧化铟錫膜。

評價參數

透過率

在波長為550nm的光波照射下，具有SI02阻擋層玻璃的透過率不小于80%，其主要取決于玻璃材料、ITO厚度和折射率。

透過率定義：

透過玻璃的光透量T2與入射光透量T1之比的百分率

Tt=T2/T1X100%

方塊電阻：

d為膜厚，I為電流，L1為膜厚在電流方向上的長度，L2為膜層在垂直電流方向的長度，ρ為導電膜的體電阻率。ρ和d可以認為是不變的定值，當L1=L2時，為正方形的膜層，無論方塊大小如何，其電阻率為定值ρ/d，這就是方塊電阻的定義，即R=ρ/d

平整度

平整度可用h/1表示，意思為在長度為L的範圍内，表面最高點與最低點的差值為h。

ITO玻璃基闆平整度參數包括：

1、玻璃表面粗糙度；

2、基闆表面波紋度；

3、基闆翹曲度；

4、基闆垂直度‘

5、ITO膜表面粗糙度；

6、ITO玻璃基闆、膜厚均勻度。

基闆翹曲度

用h/L表示（如圖），即翹曲的高度與翹起邊的長度之比。

其中要求如下：

1、厚度≥0.7mm的基片玻璃，翹曲度（h/L）≤0.1%

2、厚度≤0.55mm的基片玻璃，翹曲度（h/L）≤0.15%

3、不允許有S形翹曲

基闆垂直度：用a/L表示（如圖）。用來描述玻璃基闆四條邊互相垂直的程度。

化學穩定性

ITO鍍膜層的耐化學性能應符合表2中技術要求。

a、耐堿性

鍍層在溫度為60±2℃，濃度為10%的氫氧化鈉（分析純）溶液中浸泡5分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過110%。

b、耐酸性

在25±2℃，6%鹽酸（分析純）溶液中浸泡2分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過110%。

c、耐溶劑性能

将鍍膜玻璃放入丙酮（分析純）、無水乙醇（分析純）中浸泡5分鐘後，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過10%。

熱穩定性

在空氣中經過30分鐘300±5℃（觸摸屏用ITO玻璃是在200±5℃）高溫後，ITO膜的方阻的變化率小于300%

附着力

用3M交代粘在玻璃表面迅速撕開，ITO層無明顯開裂現象。

ITO膜面的判定

浮法方向：

在基闆玻璃制造過程中，液态玻璃流動的方向。

主要判定方法

(1)将萬用表打至歐姆檔，用探針分别測試兩個點，如果顯示不“1”，則所測試面為ITO膜面。

(2)用方塊電阻測試儀測試面電阻，如果顯示電阻無窮大，則所測面為非ITO膜面。

(3)通過大角設别：以16X14英寸的玻璃為例。

常見問題

更多精彩资讯请关注tft每日頭條，我们将持续为您更新最新资讯!