簡介：

ESD和TVS是同一種産品，叫法不一樣是由于器件的側重點不同，ESD對比TVS來說，更多可能是在封裝上小型化，集成上多路化等。主要針對是靜電防護，而TVS更多是針對浪湧防護。

靜電和靜電放電是普遍存在的自然現象，比如在幹燥的冬天中手指觸碰到金屬門把手會産生靜電放電，表示了物體接觸或者分離時導緻的電荷遷移。從而在不同物體之間産生靜電放電的現象。

在通常情況下，靜電放電都不被重視，但是對于半導體行業來說，随着工藝尺寸的不斷縮小和電路規模的不斷增大，靜電放電對集成電路的影響越來越顯著，尤其是在一些小尺寸的精密電子産品上，比如電腦、平闆、手機，藍牙耳機、電子手表、電子手環等包括一些工業類的一些産品上，大量的應用ESD防護器件。

靜電沖擊會對芯片的引腳帶來高電壓和大電流，從而造成電路和器件的損傷。靜定造成的損傷一般分為兩類，一是瞬态大電路産生局部熱量，Si材料本身導熱性能不好，而且這種局部發熱通常發生在半導體的表面，加上導熱性能更差的SiO2的覆蓋，熱量無法有效散開，就會引起半導體材料、金屬或者不同材料接觸形成的半導體結燒毀，出現短路、阻抗增大等現象；另一種是放電過程中的高電壓産生的高電場導緻絕緣層擊穿，導緻漏電增大，甚至電路功能異常。ESD的保護原理是，通過增加與被保護器件或電路并聯旁路器件，使得大多數靜電沖擊電流被低阻的旁路保護器件（ESD/瞬态抑制二極管）分流，使得大電流不進入内部電路，同時降低電路承受的沖擊電壓幅度，避免造成栅氧化層擊穿。

VI特性曲線：

ESD的曲線和TVS的曲線是一樣的，分成單雙向，單向的一側可以當成二極管即可。實際使用中，有個别場景使用單向的管子可以更好地抑制殘壓。這個具體要看使用場景。

電氣參數：

我們以上圖為例：

Vrwm：器件的工作電壓，代表意義是放置器件的這條通路上最高的電路工作電壓最好不要超過5V；

Vbr：器件的擊穿電壓，代表意思是當靜電或者浪湧來臨的時候，ESD器件在什麼電壓下開始動作，這是一個範圍值；

IR：漏流，這個一般來說是不關注的；

VC@ipp=8A：器件的鉗位電壓，代表意思是當擊穿後流過8A的浪湧電流時，鉗位電壓是12V；

VC@Vesd=8KV：器件的鉗位電壓，代表意思是當接觸放電在8KV時擊穿ESD器件後，殘留電壓為11V；

CJ：結電容，代表意思是器件放在電路兩端，寄生的電容值的大小。這個參數通常會關注多一些，分成普通容值（幾pf~幾十pf），低容值（1pf左右）和超低容值（0.3~1pf）幾種。上圖容值是15PF，即普通容值。

應用：

ESD器件大量應用于消費類電子産品上，尤其是TWS耳機，手機，平闆，穿戴類産品，wifi模塊，智能音箱以及筆記本電腦等等。使用的範圍是非常廣泛的。

由于靜電沖擊是發生在金屬裸漏部分，包括接口等，其實所有平常裸漏在外的接口都有可能收到靜電的沖擊，比如HDMI口，USB口，手機平闆的充電接口（type-c）等等。所以大體上來說隻要是批量生産的，注重品質的産品，大部分都會加有ESD器件。

這裡普及一下關于靜電防護的一些常識，很多客戶加了ESD器件，去做靜電測試，依然過不去，産品狀态表現為死機，藍屏，重啟等等。這個時候呢，并不是說ESD器件本身沒産生作用，大部分可能是因為産品本身的Layout還要修改。所以如果出現此類問題，請聯系原廠或第三方測試平台整改分析。

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