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瞬态電壓抑制電容容量怎麼選

生活 更新时间:2025-01-09 17:49:35

本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)結構的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。

瞬态電壓抑制電容容量怎麼選(漲知識啦27-MIS結構的能帶狀态與電容-電壓特性關系)1

圖 1 (a) MIS結構示意圖 (b) MIS結構等效電路圖

首先,圖 1給大家展示了MIS結構圖及等效電路。根據外加偏壓的不同,MIS結構會處于積累、耗盡和反型三種狀态。當MIS結構外加偏壓Vg後,一部分外加偏壓被絕緣層所承擔,一部分在半導體表面形成表面勢Vs。

瞬态電壓抑制電容容量怎麼選(漲知識啦27-MIS結構的能帶狀态與電容-電壓特性關系)2

圖 2 MIS結構不同偏壓下能帶圖

以p型半導體為例,當Vg為負電壓時,大量空穴被吸引至半導體表面,如圖 2(a)所示,由于絕緣層的阻擋作用,空穴堆積于半導體表面,此時MIS結構處于積累狀态。這種情況下的MIS結構的電容如圖 3所示,相當于絕緣層平闆電容Cox,所以電容值不随外加偏壓變化而變化。而當Vg逐漸減小時,此時半導體表面空間電荷區電容Csd與絕緣層電容Cox串聯,根據串聯電容公式Csd*Cox/(Csd Cox),由于Csd不斷減小,導緻總電容逐漸變小,直至半導體能帶被拉平,如圖 2(b)。繼續減小電壓直至外加電壓Vg為正時,半導體表面出現載流子耗盡效應,如圖 2(c)所示,能帶向下彎曲。随着正向電壓增大,大量空穴被耗盡,耗盡區寬度增加,導緻耗盡區電容減小,進而使總電容逐漸減小。繼續增大正向電壓,能帶進一步向下彎曲,p型半導體表面開始出現反型層,如圖 2(d)。相比耗盡情況,半導體表面載流子濃度升高,絕緣層附近耗盡區變小,導緻電容增大。當繼續增大到強反型情況時,由于反型層中積累的大量電子對外電場的屏蔽作用,耗盡區寬度将達到一個最大值不再變化。而大量電子積聚在半導體表面,使絕緣層附近堆積着大量電荷,所以此時MIS結構電容近似為絕緣層電容。以上就是MIS結構不同偏壓下的的能帶狀态與電容-電壓特性的關系。

瞬态電壓抑制電容容量怎麼選(漲知識啦27-MIS結構的能帶狀态與電容-電壓特性關系)3

圖3 MIS結構的電容-電壓特性曲線

本周《漲知識啦》就到這裡啦!希望大家能有所收獲噢!

詳情參考 :劉恩科,朱秉升,羅晉生編著,半導體物理學(第七版),電子工業出版社,2008。

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